【导读】三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，这巩固了三星在开发下一代DRAM内存技术领域中的地位，并开启了大容量内存时代的新篇章。
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在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存模组
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此次新品为实现高达1TB容量的内存模组奠定了基础
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随着12纳米级内存产品阵容的扩展，三星将持续为AI，下一代计算等多行业的各种应用提供支持
三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，这巩固了三星在开发下一代DRAM内存技术领域中的地位，并开启了大容量内存时代的新篇章。
三星12纳米级32Gb DDR5 DRAM（1）
三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁SangJoon Hwang表示：
在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上，我们可以研发出实现1TB内存模组的解决方案，这有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量DRAM内存日益增长的需求。我们将通过差异化的工艺与设计技术，继续研发内存解决方案，以突破内存技术的瓶颈。
三星自1983年开发出首款64千比特（Kb）的内存以来，在过去的40年间将内存容量提高了50万倍。最新开发的32Gb DDR5内存颗粒，采用前沿的工艺技术，提高了集成密度并优化了封装设计，与DDR5 16Gb颗粒相比，在相同封装尺寸情况下，三星单片DRAM内存颗粒容量翻倍。
尤其是，过去使用16Gb内存颗粒制造的DDR5 128GB内存模组需要采用硅通孔(TSV)工艺。而现在，通过使用最新开发的32Gb内存颗粒，即使不使用硅通孔(TSV)工艺也能够生产128GB内存模组。与使用16Gb内存封装的128GB内存模组相比，其功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品成为数据中心等关注能效的企业的优选解决方案。
三星12纳米级32Gb DDR5 DRAM（2）
以12纳米级32Gb DDR5 DRAM为基础，三星计划继续扩充大容量内存产品阵容，以满足高性能计算和IT行业持续增长的需求。通过向数据中心，以及采用人工智能和下一代计算等应用的客户提供12纳米级的32Gb内存，三星希望巩固其在下一代内存市场的前沿地位。未来，该产品还将在三星与其他核心行业伙伴的长期合作中发挥至关重要的作用。
全新12纳米级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。
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