你的位置:首页 > 新品 > 正文

三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

发布时间:2022-12-21 责任编辑:lina

【导读】三星电子宣布,已成功开发出其首款采用12纳米(nm)级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM,并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。


-  三星电子新款DRAM将于2023年开始量产,以优异的性能和更高的能效,推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展


三星电子宣布,已成功开发出其首款采用12纳米(nm)级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM,并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。


三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM


三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示:"三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5 DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效,我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。"


AMD高级副总裁、企业院士兼客户、计算、图形首席技术官Joe Macri表示:"创新往往少不了与行业伙伴的密切合作,来拓宽技术的边界。我们很高兴能与三星电子再度合作,特别是推出在Zen平台上优化和验证的DDR5内存产品。"


三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM


这一技术突破是通过使用一种新的高介电(high-k)材料来增加电池电容,以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外(EUV)光刻技术,新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度(Die density),可使晶圆生产率提高20%。


基于DDR5最新标准,三星12nm级DRAM将解锁高达7.2千兆每秒(Gbps)的速度,这意味着一秒钟内处理两部30GB的超高清(UHD)电影。


新款DRAM同时拥有卓越的速度与更高的能效。与上一代三星DRAM产品相比,12nm级DRAM的功耗降低约23%,对于更多追求环保经营的全球IT企业来说,这将会是值得考虑的优选解决方案。


随着2023年新款DRAM量产,三星计划将这一基于先进12nm级工艺技术的DRAM产品扩展到更广泛的市场领域,同时继续与行业伙伴合作,推动下一代计算的快速发展。


三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功

三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM


关于三星


三星以创新理念和技术激励世界,塑造未来。三星正致力于定义电视、智能手机、可穿戴设备、平板电脑、数字家电、网络系统以及内存、系统LSI、芯片代工和LED解决方案的世界。‍欲知最新消息,请访问并关注三星半导体微信(三星半导体和显示官方)和微博(三星半导体)平台。


*本文中的产品图片以及型号、数据、功能、性能、规格参数等仅供参考,三星有可能对上述内容进行改进,具体信息请参照产品实物、产品说明书或三星半导体官网(https://semiconductor.samsung.com/cn/)。除非经特殊说明,本网站中所涉及的数据均为三星内部测试结果,涉及的对比均为与三星产品相比较。


(稿源:美通社)


免责声明:本文为转载文章,转载此文目的在于传递更多信息,版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题,请联系小编进行处理。


推荐阅读:

大联大品佳集团推出基于Richtek产品的多通道LED驱动方案

艾普柯发布超小尺寸、超低功耗的屏下环境光传感器

纳芯微推出线性霍尔效应电流传感器芯片新品NSM203x系列

基于英飞凌新型像素技术的间接飞行时间(i-ToF)传感器

Diodes 公司的自适应等化与双向功能ReTimer为 USB-C/DP 设计带来高能效、低延迟的操作

特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索
 

关闭

 

关闭