【导读】贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化镓 (GaN) 功率级产品。LMG3410R070具有超低的输入和输出电容，支持高功率密度电动机应用的新要求，适合的应用包括工业级和消费级电源。此款高性能GaN功率级产品支持的电流、温度、电压和开关频率比硅晶体管更高，同时还可减少高达80%的开关损耗。
贸泽电子供应的TI LMG3410R070 GaN功率级产品集成有栅极驱动器和稳定可靠的保护功能，可提供比硅MOSFET和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 更出色的性能。该器件具有零共源极电感、25至100 V/ns可由用户调整的压摆率以及适合兆赫级作业的20 ns传播延迟。这款稳定可靠的IC提供过电流保护，支持超过150 V/ns压摆率的抗扰性、过热保护以及瞬态过电压抗扰性，且所有供电轨皆具备过电压锁定保护功能。LMG3410R070功率级产品采用尺寸小巧的8 mm × 8 mm QFN封装，无需外部保护元件，有助于简化设计和布局流程。
功能强大的LMG3410R070很适合搭配KEMET Electronics的KC-LINK表面贴装电容器使用。KC-LINK电容器经过特别设计，具有极低的有效串联电阻和热阻，可帮助装置承受高频率、高电压DC链路应用的应力，从而满足TI LMG3410R070 IC 等快速开关半导体的需求。
TI LMG3410R070功率级产品提供优异的功率密度， 有助于实现totem-pole PFC之类的高效拓扑，帮助电源缩小高达50%的尺寸。LMG3410R070 IC适合的应用包括多级转换器、太阳能逆变器、高电压电池充电器和不间断电源。
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