UnitedSiC第四代750V SiC FET现在以不同价格提供更多导通电阻选择，以便灵活应用于各种应用。
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反馈是好东西，控件工程师希望获得有针对性的反馈从而调整设计达到适当的增益和相位裕度，而商家希望获得积极反馈，例如客户希望UnitedSiC 750V第四代SiC FET产品能有更多的型号供选择。UnitedSiC的18毫欧和60毫欧器件是市场上的领军产品，但是对有些应用而言，电阻更低的零件和更高的介值是更好的选择。这具体情况取决于应用和预算：一个导通电阻极低的高端SiC FET占据的空间极小，需要的组装工作非常少，而成本较低的零件并联能得到相同的导通电阻，而且通常同样有效，尤其是在有散热空间时。不过，这需要器件并联，并需要更多设计工作。
第四代SiC FET系列中的产品变得更丰富
为了实现这种灵活性，UnitedSiC提供了导通电阻为23、33和44毫欧的更多第四代750V SiC FET，以及6、9和11毫欧的零件，这是在已经推出的18和60毫欧器件基础上的巨大进步。现在，客户可以“混合并匹配”器件，为他们的特殊热条件和运行条件选出最佳的价格和性能组合，也许可以根据应用需求增加或减少零件的并联，以便在各种设计中更多地使用成本更低的零件，从而享受大量采购时的价格。
并联SiC FET十分简单。由于栅极驱动功率非常低，并联带来的功率增加通常都无关紧要。由于器件的导通电阻的正温度系数，器件会自然而言地分担电流，而且还有另外的相关优势，例如，与一个9毫欧器件相比，两个18毫欧器件并联可以降低总导电损耗。这是因为与单个器件相比，两个器件每个都流过一半电流，一共只消耗一半功率，而且每个器件的升温也较低，而且导通电阻上升也相应较低。自然而然，可靠性也因结温较低而有所提高，让已经很大的SiC余量最大值进一步扩大。网页版的UnitedSiC FET-Jet计算器现已推出第2版，可用于查看任何数量的并联SiC FET在各种应用和运行条件中的效果，并提供其部分实际损耗和升温数据。
第四代SiC FET依然领先于同类
该系列的新增产品与老产品一样具有优秀的性能表征，并有先进的第四代制造特征，例如晶圆减薄以降低基片导电损耗，采用银烧结晶粒连接方式以实现极低的结壳热阻，还有随之而来的低运行结温。这些零件采用TO-247 3引脚封装，并新增了在需要采用源极开尔文连接时用的4引脚封装。图1总结了与SiC MOSFET相比，新的750V SiC FET处于何种位置，而且不要忘了，SiC MOSFET的额定值只有650V。
图1：竞争情景中的UnitedSiC 750V SiC FET系列新增产品
UnitedSiC 750V SiCFET系列拥有了更多可供灵活选择的零件，这意味着它们可以用于许多应用中。凭借汽车行业的AEC-Q101资质，它们可用于牵引逆变器、车载和非车载充电器、直流转换器和无线充电中，与650V额定值的零件相比，它们能提高效率和电压裕度。现在提供的极低导通电阻在交流和直流固态断路器应用中也十分有价值，在这些应用中，低导电损耗对于提高效率和减小体积十分重要。通常，在工业和IT功率转换产品中，第四代SiC FET还能提高软硬开关拓扑的性能。
根据客户需要，UnitedSiC还优化了环路补偿，以提供快速响应，并将继续提供更多的产品选择。
文章来源：UnitedSiC
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