【导读】英诺赛科宣布推出两款 100V 新品氮化镓功率器件，旨在提高电源功率转换效率，降低系统损耗与成本。产品可应用于太阳能光伏逆变、光伏优化器、高频DC-DC转换器及电机驱动等场景。
英诺赛科宣布推出两款 100V 新品氮化镓功率器件，旨在提高电源功率转换效率，降低系统损耗与成本。产品可应用于太阳能光伏逆变、光伏优化器、高频DC-DC转换器及电机驱动等场景。
此前，英诺赛科已相继发布了 INN100W032A、INN100W027A、INN100W070A 等采用 WLCSP 封装的 100V 产品，并获得市场良好反馈。基于终端应用多样化，英诺赛科再次推出 INN100FQ016A 和 INN100FQ025A，采用 FCQFN 小体积封装，延续了低导阻、低栅极电荷、低开关损耗和极低的反向恢复电荷等特性，具有良好的效率表现。
值得注意的是，INN100FQ016A 与英诺赛科150V系列产品 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 采用兼容引脚设计，客户可以根据不同的应用需求进行规格选型。
产品特性
-
极低的栅极电荷
-
超低的导通电阻
-
超小的封装体积
100V/1.8mΩ，100V/2.8mΩ
FCQFN封装 4mmx6mm，3mmx5mm
与Si MOS相比，INN100FQ025A的Ciss为1500pF（仅为Si MOS的1/5），Qg为14nC（仅为Si MOS的1/6），器件开关速度和开关损耗具备显著优势。
应用领域
-
电机驱动
-
LLC同步整流
-
高频DC-DC转换器
-
POL 开关转换器
-
PC充电器
-
移动电源
目前，INN100FQ016A 和 INN100FQ025A 两款产品均已成功量产，详细的产品规格书、可靠性报告、仿真模型均可在英诺赛科官网（www.innoscience.com）获取。
INN100FQ016A 规格书首页
INN100FQ025A 规格书首页
随着氮化镓技术及供应链的不断成熟，其优越特性和成本优势逐渐显现。英诺赛科 100V GaN 系列新增的两款 FCQFN 封装芯片，以其不同的导通电阻及不同的封装类型，拓展了更广泛的功率场景，不仅为客户提供了更多选择，还进一步扩大了氮化镓在多个领域的应用。基于大规模8英寸硅基氮化镓技术的研发、制造与迭代，英诺赛科的产品质量和交付能力也将为合作伙伴提供强有力的支持与保障。
英诺赛科是全球领先的GaN IDM高新技术企业，汇集了半导体行业资深的研发与应用团队，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与制造。拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产能力，产品设计及性能处于国际先进水平，为客户提供从15V到700V的高、低压全功率氮化镓芯片。自2015年成立至今，英诺赛科已获专利700多项，累计出货量超2.7亿颗。产品可广泛应用于消费电子、服务器电源、汽车电子及新能源领域等前沿领域。
英诺赛科，用氮化镓打造绿色高效新世界！
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。
推荐阅读：
ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以小尺寸实现业界超低导通电阻
研华3.5”单板电脑 MIO-5377，基于12/13代Intel Core，机器人应用理想之选
英飞凌推出业内首款1Mbit车规级串行EXCELON™ F-RAM存储器及新型4Mbit F-RAM存储器
贸泽开售Murata面向无线IoT应用的Type2BP超宽带模块
英飞凌推出超低电阻高边开关家族系列Power PROFET™ + 12V
