【导读】ROHM开发出额定1200V/300A的"全SiC"功率模块"BSM300D12P2E001"，可用于工业设备用的大容量电源等更大功率的应用中。本模块已经开始出售样品，预计于2015年6月份开始量产出货。
与一般的IGBT模块相比，开关损耗降低了77%，可高频驱动，因此还非常有助于周边元器件和冷却系统等的小型化。
本模块已经开始出售样品，预计于2015年6月份开始量产出货。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（福冈县），后期工序的生产基地为ROHM总部工厂（京都市）。
＜背景＞
自从ROHM于2012年3月世界首家开始将内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的"全SiC"功率模块投入量产以来，生产的1200V/120A、180A产品在工业设备等中的采用越来越广泛。因其优异的节能效果，支持更大电流的产品阵容倍受期待，但为了最大限度地发挥SiC产品的特点---高速开关性能，需要开发能够抑制开关时浪涌电压影响（大电流化带来的课题）的新封装。
此次，ROHM通过优化芯片配置和模块内部结构，与以往产品相比，成功地大幅降低了模块内部电感。由此，可抑制浪涌电压，从而实现了300A的更大电流。
今后，ROHM还会继续开发支持更高耐压的模块，并使用沟槽式结构的SiC元器件，开发出更大额定电流的产品，不断强化产品阵容。
＜特点＞
1． 降低开关损耗，实现高频化
与同等额定电流的IGBT模块相比，开关损耗降低了77％。将IGBT模块替换为本产品有望大幅降低开关损耗，进一步实现冷却机构的小型化。另外，通过更高频率的开关动作，还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。通过使用SiC模块，不仅可实现更高效率，还有助于设备的小型化。
2. 降低封装内部电感，实现更大电流
随着对功率模块产品的更大额定电流的追求，开关工作时的浪涌电压也不断增大，因此，需要降低封装内部的电感。本产品通过优化内置SiC元件的配置及内部格局，开发出内部电感比以往产品降低约一半的封装。由此，成功开发出额定电流300A的产品。
＜本产品的组成＞
●搭载SiC-SBD和SiC-MOSFET的"全SiC"模块产品
●使用与标准的IGBT模块同样外形的封装
●搭载热敏电阻
●保证Tjmax=175℃
＜SiC功率模块的产品阵容＞
＜术语解说＞
电感：表示使流动的电流发生变化时因电磁感应产生的电动势的大小的量。
热敏电阻：对于温度变化，电阻变化较大的电阻体。作为测量温度的传感器使用。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）：绝缘栅双极晶体管。在栅极装有MOSFET的双极晶体管。
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）：金属－氧化物－半导体场效应晶体管。是FET中最被普遍使用的结构。作为开关元件使用。
SBD（Schottky Barrier Diode）：通过使金属和半导体接触从而形成肖特基结，利用其可获得整流性（二极管特性）的二极管。具有"无少数载流子存储效应、高速性能卓越"的特点。
