2021 年 10 月 19 日——意法半导体的 STGAP2SiCSN是为控制碳化硅 MOSFET而优化的单通道栅极驱动器，采用节省空间的窄体 SO-8 封装，具有稳健的性能和精确的 PWM 控制。
SiC 功率技术被广泛用于提高功率转换效率，SiC驱动器STGAP2SiCSN可以简化节能型电源系统、驱动和控制电路的设计，节省空间，并增强稳健性和可靠性。目标应用包括电动汽车充电系统、开关式电源、高压功率因数校正器 (PFC)、DC/DC 变换器、不间断电源 (UPS)、太阳能发电、电机驱动设备、风扇、工厂自动化、家用电器 、电磁炉。
STGAP2SiCSN 在栅极驱动通道和低压控制之间有电流隔离，在高压轨上可以耐受高达 1700V 的电压。输入到输出传播时间小于 75ns，确保 PWM 控制精度高。±100V/ns共模瞬变抗扰度 (CMTI) 保证开关可靠性。内置保护功能包括欠压锁定和热关断，欠压锁定 (UVLO)通过阈值电压防止 SiC 电源开关在低能效或不安全条件下工作。在检测到结温过高后，热关断降低驱动器的两个输出。
新产品提供两种配置选择，独立多输出配置可以使用外部电阻单独优化导通和关断时间，而单输出配置具有源米勒钳位功能，可以增强高频硬开关应用的稳健性，利用米勒钳位防止功率开关过度振荡。
STGAP2SiCSN 逻辑输入兼容低达 3.3V 的 TTL 和 CMOS 逻辑信号，简化了与主微控制器或 DSP处理器的连接。在高达 26V 的栅极驱动电压下，驱动器的最大吸电流和拉电流均为 4A。片上集成的自举二极管简化了设计并提高了可靠性，关断模式有独立输入引脚，有助于大限度地降低系统功耗。
STGAP2SiCSNTR 现已上市，采用 5mm x 4mm 宽体SO-8N 封装。
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