【导读】ST新款STDRIVE601三相闸极驱动器用于驱动600V N通道功率MOSFET和IGBT电极体，稳定性位居目前业界最先进之水准，可耐受低至-100V的负尖峰电压，逻辑输入回应速度在85ns以内，处于同级产品一流水准。
ST新款STDRIVE601三相闸极驱动器用于驱动600V N通道功率MOSFET和IGBT电极体，稳定性位居目前业界最先进之水准，可耐受低至-100V的负尖峰电压，逻辑输入回应速度在85ns以内，处于同级产品一流水准。
STDRIVE601内建智慧关断电路，可提升保护功能的启动速度，在检测到超载或短路后，立即关闭闸极驱动器输出。用外部电容和电阻设定断态持续时间，必要时，设计人员可以用较大的C-R值设定所需时间，而不影响关断反应时间。STDRIVE601配备故障指示器脚位。
STDRIVE601可以替代三个半桥驱动器，简化PCB电路板配置设计，优化三相马达驱动器的性能，以驱动家电、工业缝纫机、工业驱动器和风扇等设备。
所有输出均可灌入350mA电流，源出200mA电流，闸极驱动电压范围为9V-20V，可驱动N道功率MOSFET或IGBT电极体。低边和高边之间的延迟配对功能消除了周期失真现象，并允许高频开关操作，而互锁和死区特性可防止交叉导通。
STDRIVE601采用意法半导体的BCD6S离线功率开关制程，驱动电源是高达21V的逻辑电源电压和高达600V的高边自举电压。驱动器整合了自举二极体，可节省物料清单成本，此外，低边和高边驱动电路皆具备欠压锁定（Under-Voltage Lockout，UVLO）功能，可防止电源开关在低效能或危险状况下执行。
EVALSTDRIVE601评估板现已上市，可以帮助使用者发现更多STDRIVE601驱动器的功能，快速研发并执行首个原型系统。
STDRIVE601 芯片现已量产，其采用SO28封装。
