这款新器件是Microchip的首款GaN MMIC（氮化镓单片微波集成电路），专为商业和国防卫星通信、5G网络以及其他航空航天和国防系统而设计。

 

GMICP2731-10采用碳化硅基氮化镓技术制造。它可在27.5至31 GHz之间的3.5 GHz带宽上提供高达10W的饱和射频输出功率。GMICP2731-10的功率在此基础上可再提高20%；小信号增益为22 dB；回波损耗为15 dB。此外，新器件具有平衡结构，可以很好地匹配50欧姆电阻，并在输出端集成直流阻断电容，以简化设计集成。

 

Microchip分立式产品业务部副总裁Leon Gross表示：“随着通信系统采用128-QAM等复杂的调制方案，以及固态功率放大器（SSPA）功率不断上升，射频功率放大器设计人员面临着困难的挑战，即在寻找更高的功率解决方案的同时降低重量和功耗。与GaAs同类产品相比，高功率SSPA中使用的GaN MMIC可以降低30%以上的功耗和重量，这对卫星OEM来说是一个巨大的优势。新产品体现了氮化镓技术的优势，满足了原始设备制造商对尺寸、重量、功耗和成本的要求。”

 

GMICP2731-10进一步扩大了Microchip现有的产品阵容，包括砷化镓MMIC射频功率放大器、开关、低噪声放大器和Wi-Fi®前端模块，以及用于雷达系统的硅基氮化镓高电子移动性晶体管（HEMT）驱动器和最终放大器晶体管。

 

开发工具

 

Microchip提供电路板设计支持，以帮助进行设计，分销合作伙伴也提供相关支持。Microchip还提供GMICP2731-10精简模型，使客户能够更容易地对系统中功率放大器的性能进行建模并加快设计。

 

供货

 

GMICP2731-10现已量产。如需了解更多信息，请联系Microchip销售代表或访问Microchip网站。如需购买GMICP2731-10，请访问我们的直销网站或联系Microchip授权分销商。

 

 

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