当前的可再生能源应用需要电源组件的支持,以更高效率安全地提高供电量。设计人员喜欢采用IGBT或最新SiC FET ,以在超过400V的电压下降低功率损耗。这些器件不但支持高达1,200 伏的关态电压,而且还提供比同等MOSFET更低的导通电阻。它们通常由TI微控制器或专用数字电源控制器(如UCD3138)管理。此外,基于IGBT和SiC FET的新一代设计方案还需隔离功率级高噪声开关环境中的功率与信号。
UCC27531和UCC27532可避免数字控制器运作时太靠近电源电路,从而延长隔离式电源设计方案的寿命。
UCC27531的主要特性与优势:
●强大的输出驱动功能:2.5 A源极与5 A汲极峰值电流支持更快的IGBT充电,可确保运作可靠高效;
●最快速的传播时间:17纳秒的典型延迟值可提高驱动器效率;
●高可靠性:UVLO设置与轨至轨输出电压可提供系统保护;
●可处理高噪声环境:负输入电压处理使驱动器能支持多种工业设计;
●系统保护:拆分输出配置可提高Miller接通抗扰度,防止IGBT/MOSFET损坏。
不断壮大的IGBT驱动器系列
最新输出级驱动器进一步壮大了TI驱动IGBT的模拟及数字控制器产品系列。ISO5500等隔离式栅极驱动器可在大电流、高电压设计方案中提高安全性与系统性能。此外,该驱动器还可在长时间内、在不同温度和湿度下确保SiO2电介质的稳定性,提供业经验证的高可靠性。另外,TI还提供庞大完善的单双通道5A高速低侧电源管理栅极驱动器之产品阵容,如 UCC2751x和UCC2752x系列等
供货情况与价格
采用6引脚、SOT-23封装的UCC27531与UCC27532栅极驱动器现已开始供货。同步提供的还有UCC27531EVM-184 IGBT驱动器子卡评估板,可通过TI eStore订购。此外,PSpice模型与《IGBT 35V单通道栅极驱动器》应用手册还有助于加速设计进程。