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TI最新栅极驱动器满足IGBT与SiC FET设计需求

发布时间:2014-01-21 来源:cicy 责任编辑:cicy

【导读】日前,德州仪器(TI)宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管(IGBT)与碳化硅(SiC) FET的35V单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI支持拆分输出的最新UCC27531与UCC27532输出级栅极驱动器可为隔离式电源设计提供最高效率的输出驱动功能、最低的传播延迟以及更高的系统保护力,以充分满足太阳能DC/AC逆变器、不间断电源供应以及电动汽车充电等应用需求。

 TI最新栅极驱动器满足IGBT与SiC FET设计需求

当前的可再生能源应用需要电源组件的支持,以更高效率安全地提高供电量。设计人员喜欢采用IGBT或最新SiC FET ,以在超过400V的电压下降低功率损耗。这些器件不但支持高达1,200 伏的关态电压,而且还提供比同等MOSFET更低的导通电阻。它们通常由TI微控制器或专用数字电源控制器(如UCD3138)管理。此外,基于IGBT和SiC FET的新一代设计方案还需隔离功率级高噪声开关环境中的功率与信号。

UCC27531和UCC27532可避免数字控制器运作时太靠近电源电路,从而延长隔离式电源设计方案的寿命。

UCC27531的主要特性与优势:

●强大的输出驱动功能:2.5 A源极与5 A汲极峰值电流支持更快的IGBT充电,可确保运作可靠高效;

●最快速的传播时间:17纳秒的典型延迟值可提高驱动器效率;

●高可靠性:UVLO设置与轨至轨输出电压可提供系统保护;

●可处理高噪声环境:负输入电压处理使驱动器能支持多种工业设计;

●系统保护:拆分输出配置可提高Miller接通抗扰度,防止IGBT/MOSFET损坏。

不断壮大的IGBT驱动器系列

最新输出级驱动器进一步壮大了TI驱动IGBT的模拟及数字控制器产品系列。ISO5500等隔离式栅极驱动器可在大电流、高电压设计方案中提高安全性与系统性能。此外,该驱动器还可在长时间内、在不同温度和湿度下确保SiO2电介质的稳定性,提供业经验证的高可靠性。另外,TI还提供庞大完善的单双通道5A高速低侧电源管理栅极驱动器之产品阵容,如 UCC2751x和UCC2752x系列等

供货情况与价格

采用6引脚、SOT-23封装的UCC27531与UCC27532栅极驱动器现已开始供货。同步提供的还有UCC27531EVM-184 IGBT驱动器子卡评估板,可通过TI eStore订购。此外,PSpice模型与《IGBT 35V单通道栅极驱动器》应用手册还有助于加速设计进程。

 

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