新的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG分别是基于标准氧化铝 (AI2O3) 基板和增强型低热阻基板的压铸模功率集成模块 (TMPIM) 。这些模块非常适用于具有高输出功率的强固工业应用，它们包含一个转换器-逆变器-PFC电路，由集成四个75 A、1600 V整流器的单相转换器组成。三相逆变器使用6个集成反向二极管的50 A、600 V的IGBT，双通道交错式PFC包括两个集成反向二极管的75 A、650 V PFC IGBT，和两个50 A、650 V PFC二极管。压铸模功率集成模块嵌入了一个负温系数 (NTC) 热敏电阻，以在工作期间监测器件温度。

 

由于该模块以优化的布局和配置进行预封装，与基于 PCB 的分立设计相比，寄生元素非常小，从而实现在 18 kHz 和 65 kHz 之间的宽 PFC 开关频率范围。 高能效的 NXH50M65L4C2SG 和 NXH50M65L4C2ESG 额定电流为 50 A，能在高达 8 kW 的应用中使用，是安森美半导体 TMPIM 系列的最新器件。其他器件的额定电流为 20 A 和 30 A。

 

紧凑的压铸模DIP-26封装尺寸仅73毫米x 47毫米x 8毫米--比当前的方案节省20%的面积，实现了更高的功率密度水平。密封和强固的封装包括一个集成散热片（距引脚6毫米），并提供高水平的耐腐蚀性。

 

安森美半导体还提供碳化硅 (SiC) 配置选项以进一步提高开关频率和能效。

 

新的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG配以FAN9672 PFC控制器和门极驱动器方案，包括新的NCD5700x系列器件。最近推出的NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4.0 A/灌电流6.0 A）适合高速工作，因为典型传播延迟为60 ns。

 

以最高能效的方式驱动电机是简化安装、降低热量积聚、提高可靠性以及降低系统成本的关键。 安森美半导体的 TMPIM 器件将输出引脚标准化，最小化寄生元素，为设计人员提供高性能的“即插即用”方案。 将 NXH50M65L4C2SG 和 NXH50M65L4C2ESG 与 FAN9672 和 NCD57252 相结合，提供一个快速设计路径，以实现精密高能效的电机控制方案。

 

在 APEC 2021 期间，安森美半导体将展示用于工业应用的 SiC方案。欲注册观展，请访问http://apec-conf.org/conference/registration/。

 

 

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