e络盟宣布供应英飞凌全新1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 和发射极控制 EC7 二极管。这款 EasyPIMTM IGBT7模块采用知名Easy封装，可有效提高功率密度、降低系统成本并缩减系统尺寸。1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 和 EC7 二极管技术基于新型微结构沟槽技术，并针对工业驱动应用进行了优化，可提供更柔性切换及增强可控性，同时还大幅降低了静态损耗，以满足能效要求。此外，通过将功率模块中的最大允许过载结温提升至 175℃，还可显著提高功率密度。

 

1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7可用于一系列模块，包括:EasyPIM™ 1B 1200 V 10 A 或 25 A 三相输入整流器 PIM（功率集成模块），以及EasyPACK™ 2B 1200 V 100 A 六单元 IGBT 模块。新模块使用的引出线与TRENCHSTOP IGBT4 模块的相同，帮助设计工程师减少了设计工作量。在相同尺寸的封装中，新模块可提供更高输出电流；换言之，新模块在更小的封装中，也能实现类似的输出电流，从而满足用户对更紧凑逆变器的设计需求。各类型模块均采用英飞凌高度可靠的 PressFit 安装技术，可降低欧姆电阻，减少处理时间。

 

TRENCHSTOP™ IGBT7主要优势特性包括：

 

低损耗 - 全新芯片技术通过优化低 Vce(sat) 大幅减少了损耗

专门针对驱动应用将 dv/dt 优化为 2-8kV/µs

定制化短路设计，性能更优，8µs @150℃ 足以满足驱动应用所需

根据应用条件简化并优化栅极驱动。仅使用栅极电阻即可实现控制

Tvjop 增加至 175℃，功率密度更高

同类最佳的 VCE(sat)

在 175℃ 下过载运行

针对驱动应用进一步优化了可控性

更高的功率密度 - 封装缩小 35%，但功率不变

英飞凌 1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 和发射极控制 EC7 二极管模块可通过Farnell（欧洲、中东和非洲地区）、Newark（北美地区）和  e络盟（亚太地区）购买。