【导读】SemiQ推出了一款全新的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模块，专为高电压和高效率应用领域设计。这款创新模块旨在支持更为紧凑且具有成本效益的系统设计，以满足各行业对高功率密度和能效解决方案日益增长的需求。
SemiQ推出了一款全新的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模块，专为高电压和高效率应用领域设计。这款创新模块旨在支持更为紧凑且具有成本效益的系统设计，以满足各行业对高功率密度和能效解决方案日益增长的需求。
新推出的SiC MOSFET模块采用强大的平面技术制造，具备耐用的栅氧化物结构，并集成了可靠的体二极管，从而显著提升了其性能和稳定性。每个模块均采用三相桥拓扑结构，配备分开的直流负极端子、压配终端连接以及Kelvin源连接，这些设计确保了模块在实际使用中的电气性能稳定和信号完整性。
SemiQ的这些高速度开关模块具有卓越的热性能和电气性能，表现为低开关损耗和最低的结到壳体热阻。每个模块都经过严格的测试，以确保其在高压环境下的可靠性，包括在超过1350 V的操作条件下的测试，以及全面的100%晶圆级老化(WLBI)测试。这些测试确保了模块在苛刻条件下的长期稳定性和可靠性。
这些新型模块特别适用于广泛的高性能应用场景，包括交流/直流转换器、储能系统、电动汽车快充基础设施、电池充电单元、电动机驱动器、功率因数校正升压转换器、感应加热和焊接设备、可再生能源系统以及不间断电源(UPS)等。模块设计能够在高达175°C的结温下运行，并支持直接安装到散热器上，使其在热受限的环境中也能轻松集成。
初始产品线包括三种变体，具体为：20 mΩ(GCMX020A120B2T1P)、40 mΩ(GCMX040A120B2T1P)和80 mΩ(GCMX080A120B2T1P)。这些变体的功耗评级分别为263 W、160 W和103 W，且每个变体均可承载29 A至30 A的连续漏电流，脉冲漏电流最高可达70 A。这些模块还提供高效的开关性能，开通开关能量范围在0.1 mJ至0.54 mJ之间，关断开关能量则在0.02 mJ至0.11 mJ之间。其开关时间，包括开通延迟、上升、关断延迟和下降时间，范围在56 ns至105 ns之间，展现出卓越的响应能力。
SemiQ的新系列1200 V SiC MOSFET六合一模块代表了公司在高效电源解决方案领域的最新进展，结合先进的技术和应用需求，旨在为各行各业提供更高效、更可靠的电源管理解决方案。随着市场对高功率密度和能效要求的不断提升，这些新产品将为电力电子设备的未来发展注入动力，助力实现更智能、更可持续的电力系统。
来源：浮思特科技
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