TDTTP4000W065AN充分利用SuperGaN™ FET的性能，设计更简单

 

高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)宣布推出其最新的评估板TDTTP4000W065AN。该评估板为高达4千瓦(kW)的单相交流转直流(AC-DC)电源转换而设计，采用无桥图腾柱功率因数校正(PFC)拓扑和传统的模拟控制。这种组合使Transphorm最新的SuperGaN™ FET能够快速、轻松地获得一流的转换效率，且使用数字信号控制器(DSC)时无需进行固件开发。

 

借助RDDR推动GaN普及

 

Transphorm的高压GaN平台和相关设计工具的创新路径围绕提供一流的GaN可靠性、易设计性、易驾驶性和大批量可再现性(RDDR)。为此，TDTTP4000W065AN让电源系统工程师能够获得比使用了超结MOSFET的标准CCM Boost PFC设计更高的效率。

 

该评估套件的额定值为4 kW高压线(180-260 V)和2 kW低压线(90-120 V)。模拟图腾柱解决方案的主要优势如下：

 

维护电源——支持加电和为芯片组供电等基本功能所需的电源——在任何系统中均为相对固定值。因此，随着应用功率电平的降低，维护电源将占系统总功率损耗的较大比例。与DSP解决方案相比，Transphorm的模拟板从一开始就需要较低的维护功率，从而提高整体系统效率。

不需要DSP固件编程，适合标准CCM升压AC-DC PFC功率级。

对于需要更高设计灵活性的工程师，Transphorm已于今年初推出了TDTTP4000W066C。这款基于DSC的4 kW交流转直流板还使用无桥图腾柱PFC及该公司的SuperGaN FET。但是，它整合了微芯科技(Microchip)的dsPIC33CK DSC板，该板已经过预编程，并由专用固件提供支撑。

 

Transphorm全球技术营销与北美销售副总裁Philip Zuk表示：“Transphorm的模拟评估板提供了前所未有的、以最简单的方式使用我们高效GaN的机会。与之前的数字板非常相似的是，它为电源系统工程师提供了以往高压设备市场所缺少的选择。无论最终应用的针对性价值主张如何，我们都能提供各种工具集和最强大的GaN来帮助您取得成功。”

 

SuperGaN器件：性能超越超结MOSFET

 

TDTTP4000W065AN在板中采用Transphorm的SuperGaN Gen IV TP65H035G4WS FET作为快速开关支路，而低电阻硅MOSFET则用在慢速开关支路中。最终的性能与其数字控制产品TDTTP4000W066C相似。

 

TP65H035G4WS是采用TO-247通孔封装且导通电阻为35毫欧的650伏器件，具有固有的高热耗散能力。此功能消除了将器件并联以输出更高功率的需求，而这是具有竞争力的表面贴装GaN解决方案所需的一种设计方法。而且，与所有其他Transphorm GaN器件一样，SuperGaN FET可以通过4伏阈值电压(Vth)及0至12伏现成的标准栅极驱动电路来驱动。

 

供应情况

TDTTP4000W065AN评估板目前可通过Digi-Key和Mouser获取。

 

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项 ，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压GaN半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。