东芝电子元件与存储株式会社（“东芝”）已开始批量生产采用沟槽型 IEGT 芯片和新开发的用于高压转换器的高速二极管芯片的压装注入增强型栅极晶体管 (IEGT) “ST2000GXH32”。本产品集电极-发射极电压额定值为4500 V，集电极电流(DC)额定值为2000 A。
二极管中的阴极结构抑制了反向恢复期间的电压振荡，提高了反向恢复容限。新开发的电压阻断结构实现了高温耐压。与东芝现有产品[1]相比，新产品ST2000GXH32抑制了小反向恢复电流时的电压振荡。这允许使用一个小的栅极驱动电阻（RG(on) ) 并将开启开关损耗[2][3] (E on ) 从 12.0 J 降低到 8.4 J（典型值）约 30%。此外，改进的阴极将反向恢复期间的峰值功率提高了大约 29%。此外，通过提高二极管的高温耐受性，ST2000GXH32 的结温额定值 (T j )从 125 °C 增加到 150 °C（最大值）。 ST2000GXH32有助于直流输电、静态无功补偿器、电机驱动逆变器和转换器等高压工业设备的小型化和节能。
笔记：
[1] ST2000GXH31
[2] ST2000GXH31 条件：V CC =2800 V，I C =2000 A，R G(on) =5.6 Ω，L S ≈300 nH，T j = 125 °C
[3] ST2000GXH32 条件：V CC =2800 V, I C =2000 A, R G(on) =3.6 Ω, L S ≈300 nH, T j = 150 °C
应用
直流输电
静态无功补偿器
工业电机驱动
特征
低开通开关损耗：
E on (typ.)=8.4 J (@V CC =2800 V, I C =2000 A, R G(on) =3.6 Ω, L S ≈300 nH, T j =150 ℃ )
广泛的反向恢复安全操作区
最大结温额定值：T j (max)=150 ℃
主要规格
（@T c =25 °C，除非另有说明）
内部电路
应用电路示例
注：
本文档中的应用电路仅供参考。
需要进行彻底的评估，尤其是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请电话或者邮箱editor@52solution.com联系小编进行侵删。
推荐阅读：
贸泽电子即日起开售Fujitsu Semiconductor Memory Solution产品
大联大诠鼎集团推出基于Qualcomm产品的WiFi 6高速网络路由器方案
雅特力发布超高性能AT32F435/437系列Cortex -M4 MCU
