【导读】安森美推出采用 T2PAK 顶部冷却封装的 EliteSiC MOSFET，覆盖 650V、950V 电压段，直击汽车与工业高功率场景痛点。其顶部直连散热片的设计大幅降低热阻，结合低杂散电感特性，实现更高功率密度与转换效率，还能简化系统设计、延长设备寿命。产品已向核心客户发货，可广泛适配电动汽车、光伏储能等领域，助力相关设备实现紧凑化、高效化升级。
T2PAK 顶部冷却封装技术。传统封装需通过 PCB 传导热量，散热效率受限且容易与开关性能冲突，而安森美的创新设计完成了了 MOSFET 与散热片的直接热耦合，热量绕开 PCB 直达系统冷却架构，从根源上降低结点至散热片的热阻。这一突破不仅带来卓越的热效率，有效的降低器件工作温度，且减少了元器件应力，因此延长系统使用寿命。
新品延续了 EliteSiC 系列的技术优势，保持低杂散电感特性，支持更快开关速度与更低能耗，同时兼容 TO-247 和 D2PAK 封装的核心优点，无明显性能短板。12mΩ-60mΩ 的多导通电阻选项，为不同功率等级的应用提供了灵活的选型空间，让设计人员无需在性能与适配性之间妥协。更高的功率密度更助力实现系统紧凑化设计，配合简化的开发流程，大幅缩短产品上市周期。
安森美碳化硅事业部副总裁兼负责人Auggie Djekic表示，“热管理是汽车和工业电力系统设计的关键挑战，客户亟需兼具效率与可靠性的解决方案。”这款新品正是为破解行业痛点而生。目前，首批器件已向主要客户发货，2025 年第四季度及之后还将推出更多衍生产品，全面覆盖电动汽车 OBC、DC/DC 转换器、光伏逆变器、储能变流器等严苛高压场景。
安森美此次推出的 T2PAK 封装 EliteSiC MOSFET，不仅展现了其在碳化硅技术领域的领先实力，更通过封装创新重新定义了高压功率器件的性能边界。随着新能源与工业智能化的加速发展，这款产品将为相关行业的高效化、紧凑化升级提供强劲动力，推动更多高性能终端产品的落地。
