新产品线提供高可靠性和减少 SWAP；空间共封装解决方案提供世界一流的 GaN FET 驱动器性能

 

先进半导体解决方案的主要供应商瑞萨电子公司（东京证券交易所股票代码：6723）今天推出了用于卫星电源管理系统的塑料封装抗辐射（rad-hard）设备的新系列。这四款新器件包括ISL71001SLHM/SEHM负载点 (POL) 降压稳压器、ISL71610SLHM和ISL71710SLHM数字隔离器，以及ISL73033SLHM100V GaN FET 和集成低侧驱动器。新产品组合将抗辐射保证水平与塑料封装的电路板面积节省和成本优势相结合，为具有更长寿命要求的中/地球同步地球轨道 (MEO/GEO) 以及小型卫星 ( smallsats) 和更高密度的电子设备，同时降低尺寸、重量和功耗 (SWaP) 成本。

 

新 IC 还补充了瑞萨电子于 2017 年为低地球轨道小卫星推出的耐辐射塑料封装 IC。瑞萨电子的塑料 IC 系列共同支持多个轨道范围，提供各种卫星子系统和有效载荷所需的辐射性能和最佳成本平衡。

 

瑞萨电子工业和通信业务部副总裁 Philip Chesley 表示：“随着每一项新任务，客户都需要更多功能，这需要更大的卫星有效载荷，并且传统上已转化为卫星系统的 SWaP 增加。” “借助瑞萨电子的新型 IC，客户可以享受塑料封装的 SWaP 优势，与陶瓷封装器件相比，最多可节省 50% 的电路板面积，同时保持更高轨道任务所需的可靠性和辐射保证，寿命可达并且超过 15 年。”

 

传统上，抗辐射 IC 几乎完全使用密封陶瓷封装生产，这实现了所需的可靠性，但在尺寸和重量方面存在显着的折衷。新的瑞萨电子抗辐射塑料 IC 可帮助客户在不影响性能的情况下减少电子产品的占用空间和成本。

 

为确保塑料 IC 在恶劣的空间环境中保持最高质量，新器件具有类似 QMLV 的生产水平测试，并且所有器件都将接受辐射批次验收测试 (RLAT)。

 

生产测试流程包括 100% CSAM、X 射线、温度循环、静态和动态老化以及目视检查，并符合 SAE AS6294/1 空间塑料封装微电子标准。额外的筛选包括针对 HAST、寿命测试和湿度敏感度的每个组件和晶圆批次产品的批次保证测试。

 

抗辐射 IC 在低剂量率 (LDR) 的总电离剂量 (TID) 高达 75krad(Si) 和线性能量转移 (LET) 为 60MeV•cm 2 /mg 或 LET 86MeV• 时进行了特性测试cm 2 /mg 用于单一事件效应 (SEE)。ISL71001SEHM 针对高剂量率 (HDR) 的 TID 额定值高达 100krad(Si)。

 

ISL73033SLHM 低侧驱动器和 100V GaN FET 的主要特性：

●将世界一流的 GaN FET 驱动器和 GaN FET 结合在一个封装中，以简化栅极设计并提高效率

●与 SMD 0.5 抗辐射 MOSFET 相比，面积减小了 20%

●V DS = 100V＆I DS = 30A与7.5mΩ（典型值）R DSON

●超低总栅极电荷：14nC（典型值）

●集成驱动器具有 4.5V 稳压栅极驱动电压和 3A/2.8A 灌电流/拉电流能力

 

ISL71610SLHM 和 ISL71710SLHM 数字隔离器的主要特性：

●与市场上现有的航天级光耦合器相比，巨磁阻 (GMR) 隔离技术可提供更好的辐射耐受性

●2.5kV RMS隔离

●ISL71610SLHM 的数据速率高达 100Mbps，ISL71710SLHM 的数据速率高达 150Mbps

●1.3mA 静态电流和低 EMI，无载波或时钟噪声

 

ISL71001SLHM/SEHM 降压稳压器的主要特性：

●6A 同步 POL 稳压器以更小的封装实现高功率转换效率

●高效：95% 的峰值效率

●固定 1MHz 开关频率

●可调输出电压

 

瑞萨电子提供可用于多种配电架构的电源管理产品。客户可以使用新的封装类型和生产流程将新的抗辐射塑料 IC 添加到他们现有的架构中。ISL71610SLHM 和 ISL71710SLHM IC 还可以与瑞萨电子的 rad-hard 和 rad-tol CAN 总线收发器以及 RS-422 收发器产品系列结合使用，以用于串行通信系统。

 

可用性

ISL71610SLHM、ISL73033SLHM 和 ISL71001SLHM 现已上市。ISL71710SLHM 将于 2021 年 9 月上市，ISL71001SEHM 将于 2021 年第四季度上市。