富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)推出全新具有 SRAM 兼容型并列接口的4 Mbit FRAM 芯片 MB85R4M2T ，采用44-pinTSOP封装并且与标准低功耗SRAM兼容，因此能够在工业机械、办公自动化设备、医疗设备以及其他设备等应用中，取代原有具备高速数据写入功能的SRAM。此产品明年1月起开始为客户提供样品。

FRAM 具备非挥发性数据储存功能，即使在电源中断的状况下仍能保护数据;随机存取功能则能高速写入数据。由于 FRAM 在写入数据时若面临电源临时中断或是停电，仍旧能够安全地储存数据，因此即使在电源中断时还是能够立即储存参数信息并实时记录设备上的数据数据。另外，MB85R4M2T无须任何电池即可持续地储存数据，因此有助于发展更小型、更省电的硬设备，且能降低总成本。

MB85R4M2T不需要透过电池储存数据，因此能减少50%以上产品中所使用PCB基板记 忆体与相关零件的电路板面积。SRAM在主电源关闭的情况下将数据保存在内存时，需要消耗约15μW/秒的电流以保存资料。由于FRAM为非挥发性的内存，在电力关闭情况下不会耗费任何电力。移除电池不仅降低零件成本，也免除了所有电池更换或维修相关的周期性成本，能大幅减低开发及营运的总成本。