【导读】联电（UMC）重磅推出全新55纳米BCD平台，为下一代移动、消费、汽车及工业设备提供更高性能与能效。该技术通过三种优化工艺变体，满足从消费电子到严苛汽车级应用的不同需求，助力客户在缩小芯片面积的同时，管理复杂电源并提升抗噪能力。此举标志着联电完成了从0.35微米至55纳米的全面BCD工艺布局，结合丰富IP与设计支持，为电源管理IC设计者提供了强大且灵活的解决方案，赋能从智能手机到智能工厂的广泛创新。
扩展电源管理技术组合
BCD技术能够在单一芯片上集成模拟、数字及功率电路，是电源管理与混合信号IC的关键基础。联电全新的55纳米BCD平台通过三种主要工艺变体进一步扩展了其灵活性，以满足不同应用需求：
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非外延工艺 专注于消费类及移动设备，以高性价比实现优异的能效与模拟性能；
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外延工艺 支持高达150V的工作电压，符合AEC-Q100 Grade 0汽车级标准，适用于严苛的汽车环境；
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绝缘体上硅工艺 面向高端汽车与工业系统，具备AEC-Q100 1级认证、出色的噪声抑制与低泄漏特性。
该平台还提供超厚金属、嵌入式闪存及电阻式RAM等选项，为集成存储与大电流路径的设计提供更大灵活性。
完善专业工艺布局
联电技术开发副总裁Steven Hsu表示：“55纳米BCD平台的推出是联电的重要里程碑，它完善了我们的专业BCD技术组合，并增强了在电源管理市场的竞争力。我们提供具备竞争力器件性能的完整55纳米BCD解决方案，助力客户为智能手机、可穿戴设备、汽车、智能家居及工业等领域开发创新的电源方案。”
随着此平台的推出，联电目前提供从0.35微米至55纳米的广泛BCD工艺组合，覆盖多种电压范围，并辅以丰富的IP库、设计支持与成熟工艺节点，持续满足功率电子与混合信号IC制造商对更高效率与集成度的需求。
对于欧洲设计行业而言，效率、可靠性与集成度始终是创新核心。联电55纳米BCD平台为汽车与工业电源解决方案的升级提供了及时的技术路径。
