【导读】株式会社村田制作所（以下简称“本公司”）已将面向下一代功率半导体之一的GaN(1)器件门驱动器的绝缘DC-DC转换器“MGN1系列”（以下简称“本产品”）商品化。现已开始量产。
(1) GaN：由镓和氮的化合物制成的化合物半导体。被认为是下一代功率半导体之一，因为它与目前用于半导体的硅同样耐电压，并且具有更广的电感应控制范围（带隙）。
近年来，在需要快速充电的电动汽车（EV）充电站等场所，能够承受高电压且功率损耗低的下一代功率半导体已开始普及。即使在下一代功率半导体当中，GaN也因具有能够以高频率进行开关操作的特点，所以特别需要能够承受因开关动作而产生的电压波动和高电压的绝缘DC-DC转换器。
因此，本公司开发了具有以下特点的产品。
● 初级和次级之间的绝缘电容低
减少因开关操作而产生的电压波动导致从输出流到输入的电流降低。
● 共模瞬态耐电压
共模瞬态耐电压>200kV/µs，因此能够应对高频开关操作产生的电压波动，并减少这种电压波动对初级电路的电气影响。
● 高绝缘耐电压
即使施加高电压也能保持绝缘性能。
此外，由于本产品是薄型设计，因此可以在有限的空间内安装。
主要规格
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