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ST推出 600V三相智能关断栅极驱动器,提高工业应用性能和安全性

发布时间:2019-07-17 责任编辑:lina

【导读】意法半导体的STDRIVE601三相栅极驱动器用于驱动600V N沟道功率MOSFET和IGBT管,稳健性居目前业内最先进水平,可耐受低至-100V的负尖峰电压,逻辑输入响应速度在85ns以内,处于同级产品一流水平。
 
ST推出 600V三相智能关断栅极驱动器,提高工业应用性能和安全性
 
意法半导体的STDRIVE601三相栅极驱动器用于驱动600V N沟道功率MOSFET和IGBT管,稳健性居目前业内最先进水平,可耐受低至-100V的负尖峰电压,逻辑输入响应速度在85ns以内,处于同级产品一流水平。
 
STDRIVE601内置智能关断电路,可提高保护功能的启动速度,在检测到过载或短路后,立即关闭栅极驱动器输出。用外部电容和电阻设定断态持续时间,必要时,设计人员可以用较大的C-R值设置所需时间,而不会影响关断反应时间。STDRIVE601具有低电平有效故障指示器引脚。
 
STDRIVE601可以替代三个半桥驱动器,简化PCB电路板布局设计,优化三相电机驱动器的性能,可以驱动家电、工业缝纫机、工业驱动器和风扇等设备。
 
所有输出均可灌入350mA电流,源出200mA电流,栅极驱动电压范围为9V-20V,可驱动N沟道功率MOSFET或IGBT管。低边和高边之间的延迟匹配功能消除了周期失真现象,并允许高频开关操作,而互锁和死区插入特性可防止交叉导通。
 
STDRIVE601采用意法半导体的BCD6S离线功率开关制造工艺,驱动电源是高达21V的逻辑电源电压和高达600V的高边自举电压。驱动器集成自举二极管,节省物料清单成本,并且低边和高边驱动电路都有欠压锁定(UVLO)功能,可防止电源开关在低能效或危险条件下运行。
 
EVALSTDRIVE601评估板现已上市,可以帮助用户探索STDRIVE601驱动器的功能,快速创建并运行首个原型系统。
 
STDRIVE601 芯片现已投入生产,采用SO28封装。
 
 
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