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安森美半导体携手伟诠电子推出高能效、高密度USB PD电源适配器方案

发布时间:2018-11-19 责任编辑:lina

【导读】安森美半导体利用在电源半导体领域的专长和伟诠在USB PD领域的领先技术,推出一系列高能效、高密度的USB PD电源适配器,满足市场需求,符合并超越能效标准。

安森美半导体携手伟诠电子推出高能效、高密度USB PD电源适配器方案 

安森美半导体利用在电源半导体领域的专长和伟诠在USB PD领域的领先技术,推出一系列高能效、高密度的USB PD电源适配器,满足市场需求,符合并超越能效标准,如最近的65 W 超高密度USB PD适配器方案,支持USB Type-C接口PD 3.0和高通Qualcomm Quick® Charge 3.0TM Class A快充协议,最新的90 W 高密度USB PD适配器方案支持USB Type-C接口PD 3.0、QC4.0和PPS协议,采用有源钳位反激(ACF) 拓扑,使用行业标准的超结FET,功率密度分别为30 W/in^3和20.8 W/in^3,峰值能效分别超过94%和92%。
 
USB PD、QC 3.0和QC 4.0简介
 
USB PD全称USB Power Delivery,即USB功率传输协议,支持同时进行数据通信和高达100 W的电力传输。
 
QC 3.0是高通第三代快充技术,其支持的总线电压(VBUS) 范围,Class A为3.6 V至12 V,Class B为3.6 V至20 V。高通的快充技术如今已发展到第四代即QC4.0,同时支持USB PD。
 
先进的控制器和驱动器提供高能效、紧凑的ACF USB PD适配器方案
 
安森美半导体的65 W和90 W ACF USB PD适配器方案是现代电源适配器和电池充电器设计的重大进步。使用在65 W ACF USB PD 适配器中的核心芯片NCP1568 和NCP51530还获《今日电子》(EPC)与21IC中国电子网 (21ic.com)评选为2018年度Top 10电源产品奖,这是电子业备受认同的确定创新/高品质产品的一个基准。
 
安森美半导体携手伟诠电子推出高能效、高密度USB PD电源适配器方案
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图1:紧凑的ACF USB PD适配器方案(65 W:左一、二;90 W:右)
 
这两款ACF USB PD适配器方案都涵盖5V 到 20V的PD 3.0规格和3.6 V至12 V/3 A的QC 3.0 Class A规格,用于需要兼容USB-PD或高通Quick Charge™规格的笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备。其中65 W ACF USB PD适配器方案集成安森美半导体的ACF控制器NCP1568、高速半桥驱动器NCP51530、同步整流控制器NCP4305、伟诠的WT6615F PD控制器,采用行业标准的超级结(SJ) FET,占板尺寸仅1.66” x 1.78” x 0.70”,功率密度达30 W/in^3;90 W ACF USB PD适配器方案集成安森美半导体的功率因数校正(PFC)控制器NCP1622、ACF控制器NCP1568、高速半桥驱动器NCP51530、同步整流控制器NCP4306、伟诠的WT6615F PD控制器,采用行业标准的 SJ FET,占板尺寸仅2.48” x 2.48” x 0.82”,功率密度达20.8 W/in^3。
 
90 W ACF USB PD适配器方案中还采用升压跟随电路,提升PFC控制性能,并能提升低工作电压效率。
 
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图2:90 W USB PD电源适配器方案框图
 
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图3:NCP1568、NCP51530、WT6615F示意图
 
NCP1568是一款高度集成的AC-DC脉宽调制(PWM)控制器,采用ACF拓扑结构,包含零电压开关(ZVS),用于要求高功率密度和高能效的高频应用(高达1 MHz)。它能够无缝过渡到非连续导电模式(DCM),提高轻载条件下的能效,使待机功耗低于30毫瓦(mW),符合全球能效监管标准。自适应ZVS频率调制提供可变输出电压,优化USB-PD和快速充电的实施。可使用经验证的超结FET或高性能氮化镓(GaN)FET的ACF拓扑结构,外部器件更少,实现更高密度设计。NCP1568采用小型TSSOP-16封装,具有多重保护功能。静音跳跃功能消除工作时的可闻噪声,这是室内电源适配器应用的一个基本需求。
 
NCP51530是700伏(V)高频率、高边与低边驱动器,可直接驱动高性能电源应用中的两个N沟道功率MOSFET。其特点是快速的动态响应,30纳秒(ns)的传播延迟适合高频工作,而5 ns的传播延迟匹配确保领先市场的能效性能。NCP51530提供非常强固的方案,不易受dv/dt(高达50 V/ns)和负瞬态的影响。
 
伟诠的USB PD控制器WT6615F支持USB PD 3.0规范和QC 3.0,用于USB Type-C DFP下行端口(源)充电应用,通过集成USB PD基带物理层、Type-C检测、并联稳压器、电压和电流检测、负载开关的MOSFET控制器和8位微处理器,最大限度地减少外部元件数,实现小外形和低物料单(BOM)成本,支持3 V至30 V的宽工作电压范围,无需外部LDO,多次可编程的ROM可用于编辑程序代码及用户配置数据。
 
两款方案都集成全面的保护特性,包括自适应输出过压保护、欠压保护、过流保护、短路保护、电缆压降补偿、ACF开环保护等,在实现高能效和高功率密度的同时确保高可靠性。
 
能效和性能测试
 
根据最新的COC V5 Tier 2标准,待机功耗、平均能效和10%负载能效需达到以下规格。
 
安森美半导体携手伟诠电子推出高能效、高密度USB PD电源适配器方案
 
经测试,65 W和 90 W ACF USB PD适配器方案峰值能效分别超过94%和92%,平均能效和10%负载能效也都符合并超越COC V5 Tier2标准,且纹波小,动态性能佳。以90 W方案为例,能效测试曲线如下:
 
安森美半导体携手伟诠电子推出高能效、高密度USB PD电源适配器方案
图4:输出为5 V时(电缆未插入)的 待机功耗低于75 mW
 
安森美半导体携手伟诠电子推出高能效、高密度USB PD电源适配器方案
图5:平均能效符合COC Tier2标准
 
在115 Vac和230 Vac的测试条件下,输出20 V时,测得90 W ACF USB PD方案的满载能效超过92%。在230 Vac的测试条件下,输出5 V、0.5 A时的纹波低于100 mV。
 
总结
 
安森美半导体和伟诠电子合作推出的65 W和90 W ACF USB PD电源适配器方案采用ACF拓扑,高能效、低待机功耗,符合并超越COC V5 Tier2能效标准,使用行业标准的超级结FET,且工作的高频率大幅缩减元件尺寸,实现高功率密度,全面的保护特性确保高可靠性和高强固性,纹波和动态性能极佳,使设计人员能快速开发出支持USB-PD和高通Quick Charge™规格的紧凑的、高能效电源适配器。
 
 
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