50 W、12 V/60 V且基于eGaN FET的同步升压转换器采用简单、低成本的拓扑结构，可实现 95.3%的峰值效率和低温升
宜普电源转换公司（EPC）近日宣布推出双向降压或反向升压转换器演示板（EPC9162）。该演示板用于同步转换器时采用100 V的EPC2052器件，以及用于同步自举FET电路时，采用EPC2038器件。
EPC9162预设作为升压转换器，其输入电压为12 V、输出为60 V/50 W。但是，该板也可以作为降压转换器，其输入电压为48 V、输出为12 V/60 W。eGaN FET的快速开关显着降低了开关损耗，从而实现更高的工作效率。为了让电源供电设计人员能够轻松复制此设计，EPC网站上提供该电路板的所有相关设计资源，包括原理图、材料清单和 Gerber文档。
尽管eGaN FET的尺寸很小，但从12 V转到60 V/0.85 A的峰值效率为95.3%，轻负载效率为86%，温升仅为40°C。
宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow说：“对于轻负载效率至关重要的应用来说，例如笔记本电脑和显示器的LED背光，eGaN FET的低开关损耗可实现高效且极低的温升以防止设备过热。同步升压拓扑为电源系统设计人员提供一种简单且低成本的解决方案。”
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流- 直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。
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