EPC9149的尺寸是根据DOSA标准的1/8砖型，仅为58.4 mm x 22.9 mm。输出功率是1 kW时，EPC9149比基于硅器件的解决方案要小得多，后者的尺寸通常是1/4砖或大两倍。不带散热器的转换器的总厚度仅为10 mm。为了让工程师能够轻松地复制这个设计，该电路板的所有设计资源，包括原理图、物料清单和Gerber文档，都可以在EPC网站上找到。

 

凭借EPC公司的氮化镓场效应晶体管（eGaNFET）技术，才可以实现1226 W / in3的高功率密度。eGaN FET具有高开关频率，这个板子的频率是1 MHz且微型，其尺寸仅为采用相同导通电阻的硅MOSFET的板子的1/3。EPC9149采用4个用于一次侧同步整流、额定电压为100 V的EPC2218 ，以及采用8个用于二次侧同步整流、40 V的EPC2024器件。该板还采用尺寸为4mm x 4mm 的Microchip dsPIC33CKMP102T-I/M6控制器, 可实现高灵活性、进行配置、通信和编程，从而充分发挥氮化镓场效应晶体管的性能。

 

EPC9149演示板可以在36 V至60 V的输入电压下工作，并输出高达83.3 A的负载电流。输入电压在48V至12V时的峰值效率为98％，在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97％。在最大负载和400 LFM气流下，最高稳态工作温度为88°C，最高结温为95°C。

 

EPC首席执行官Alex Lidow表示：“eGaN FET和集成电路提高了48 V/12 V转换器的功率密度，并满足了数据中心对于小尺寸、更高功率的应用需求。Microchip数字控制器使得EPC9149演示板可灵活地进行编程和配置。”

 

EPC9149发货时随附主板以简化测试。

 

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓（eGaN®）的功率管理器件的领先供货商，氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目标应用包括直流- 直流转换器、激光雷达（LiDAR）、用于电动运输、机器人和无人机的电机驱动器，以及低成本卫星等应用。此外，宜普电源转换公司继续扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。