【导读】近年来，相干光通信发展迅猛，在DCI市场，相干光模块年复合增长率达20%，其中400G PTP年复合增长率高达74%，国内骨干网市场400G DP-QPSK预计将大面积商用，可支持城域网部署单载波1.6Tb/s相干产品呼之欲出，以上因素使得下一代相干无源器件解决方案备受关注。
一方面，相干模块将往更高单载波速率方向发展，另一方面，为了便于工程开通、提升单板密度，封装形式也从MSA到CFP/CFP2到QSFP-DD的可插拔、小型化方向发展，体积大幅缩小对模块内部布局形成了巨大挑战。为获取更远传输距离、更优传输特性，模块内部配置EDFA成为首选方案，内置无源器件的小型化、集成化、高可靠性则尤为重要，光迅科技在该方向取得突破性进展。
在小型化可调器件方面，光迅科技推出φ2.4 MEMS VOA和3.5mm高Ultra Mini TOF，支持C+L应用。φ2.4 MEMS VOA较常规器件尺寸缩小80%，可满足小型化EDFA和线路侧模块的布局要求，同时面对高集成化带来的高温环境问题，VOA产品采用独特的工艺和结构设计，可长期高温稳定工作。Ultra Mini TOF高度降低到3.5mm，并将最大驱动电压降低至12V，简化客户电路板设计，使其更便于集成在相干模块内置EDFA中，提升模块传输性能。
MEMS VOA φ2.4 x16mm
3.5mm 高Ultra Mini TOF
在微光学器件方面，光迅科技推出φ2.2 IWDM、φ2.2 ITAPD、φ1.8 Mini Tappd、φ3.0保偏类器件。该类器件通过110℃长期存储，高温、高功率长期挂机等测试，应用于小型化光模块中，可帮助客户简化模块设计，给设计提供更多空间冗余。
IWDM Hybrid φ2.2x20mm
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