【导读】新唐科技日本株式会社（NTCJ）于近日宣布，正式量产其革命性产品——波长为379纳米、输出功率达1.0瓦的高功率紫外半导体激光二极管。该产品采用行业通用的9毫米TO-CAN封装，通过NTCJ专有的器件结构与高散热封装技术，成功攻克了紫外激光器在追求短波长、高功率与长寿命时长期面临的技术壁垒，为需要精密光源的工业应用提供了全新解决方案。
新唐科技日本株式会社（NTCJ）于近日宣布，正式量产其革命性产品——波长为379纳米、输出功率达1.0瓦的高功率紫外半导体激光二极管。该产品采用行业通用的9毫米TO-CAN封装，通过NTCJ专有的器件结构与高散热封装技术，成功攻克了紫外激光器在追求短波长、高功率与长寿命时长期面临的技术壁垒，为需要精密光源的工业应用提供了全新解决方案。
（*）截至2026年1月16日，基于NTCJ对波长为379 nm、TO-9 CAN封装、在25°C壳温(Tc)下连续波(CW)运行的半导体激光器的研究。
随着人工智能发展对半导体算力需求的爆发，晶体管微缩接近物理极限，先进半导体封装（如芯粒集成）成为提升性能的关键。在此过程中，无掩模直写光刻技术的重要性凸显，其对核心光源——激光器的要求也日益严苛：需要更短波长（以逼近i线365nm提升分辨率）和更高功率（以提高产线吞吐量）。传统紫外激光器因光电转换效率低、散热难及紫外光致材料退化等问题，难以在1.0瓦及以上功率实现稳定、长寿运行。
这些封装技术的演进，离不开无掩膜曝光技术的支持。作为无掩模光刻技术中的关键光源之一，半导体激光器面临着向更短波长（接近i线365 nm）和更高输出功率发展的不断增长的需求，以实现更精细的线路和提高设备产能。为满足这些要求，NTCJ凭借40多年的激光设计和制造经验，开发并商业化了波长为379 nm、输出功率达1.0 W的紫外半导体激光器。
紫外半导体激光器通常存在由于低光电转换效率(WPE)引起的显著热量产生问题，以及由紫外光引起的器件退化倾向，这使得在1.0 W以上的高输出水平下实现稳定运行变得困难。为解决这一问题，NTCJ采取了双管齐下的方法，同时专注于"提高WPE的器件结构"和"有效散热的高热传导封装技术"，成功开发出一款兼具短波长、高功率和长寿命的产品：1.0 W紫外(379 nm)激光二极管器。这有助于延长紫外光光学器件的寿命。
该产品作为NTCJ的"基于半导体激光的汞灯替代产品"系列的新成员，为客户提供了新的选择。
NTCJ将在美国旧金山举行的SPIE Photonics West 2026展会以及日本横滨举办的OPIE'26展会的展台上展示这款新产品的详细信息。NTCJ诚挚期待您的莅临。
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