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50μA静态电流!艾为电子微型LDO助力TWS耳机续航再升级

发布时间:2025-07-23 责任编辑:lina

【导读】艾为电子2025年推出AW37334YXXXFOR超微型LDO,采用0.645×0.645×0.3mm FOWLP封装,面积较主流DFN封装缩小60%。产品支持1.4-5.5V宽输入范围,在300mA负载下压差仅184mV,85dB PSRR与42μV超低噪声特性,已批量用于AR眼镜、TWS耳机等空间敏感型设备。

 

艾为电子2025年推出AW37334YXXXFOR超微型LDO,采用0.645×0.645×0.3mm FOWLP封装,面积较主流DFN封装缩小60%。产品支持1.4-5.5V宽输入范围,在300mA负载下压差仅184mV,85dB PSRR与42μV超低噪声特性,已批量用于AR眼镜、TWS耳机等空间敏感型设备。


50μA静态电流!艾为电子微型LDO助力TWS耳机续航再升级

图1 艾为新品与市面产品封装面积对比


技术难点与应对方案


50μA静态电流!艾为电子微型LDO助力TWS耳机续航再升级


核心作用


●空间释放:摄像头模组周边省位0.8mm²(可增配激光对焦组件)

●能效跃升:50μA静态电流使IoT设备续航延长15%

●信号纯净:42μV噪声保障ECG/PPG生物信号采集精度


产品关键竞争力


●体积王者:0.42mm³体积(全球最小LDO)

●电气性能:184mV@300mA压差(竞品普遍>250mV)

●防护全能:过流/短路/过温三重保护集成

●电压覆盖:1.2V-3.3V多档固定电压可选


50μA静态电流!艾为电子微型LDO助力TWS耳机续航再升级

图2 AW37334YXXXFOR封装信息


50μA静态电流!艾为电子微型LDO助力TWS耳机续航再升级

图3 AW37334YXXXFOR典型应用图


产品选型表


50μA静态电流!艾为电子微型LDO助力TWS耳机续航再升级

表1 Low VIN LDO


50μA静态电流!艾为电子微型LDO助力TWS耳机续航再升级

表2 Mid VIN LDO


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表3 High VIN LDO


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表4 LDO PMICs


竞品对比分析


50μA静态电流!艾为电子微型LDO助力TWS耳机续航再升级


表格分析:艾为在核心指标封装尺寸、压差及噪声控制上建立代际优势,尤其适合可穿戴设备与微型模组。


实际应用场景


●AR眼镜:光波导显示驱动供电(0.3mm厚度适配曲面贴合)

●折叠屏手机:铰链传感器阵列供电(5.5V耐压抗浪涌)

●TWS耳机:压力触控模块供电(0.1μA关断电流延长待机)

●医疗贴片:生物电信号采集(42μV噪声保障0.1mV信号精度)


产品供货情况


●电压选项:

▶ 固定输出:1.2V/1.8V/2.8V/3.0V/3.3V(¥0.28/片起)

▶ 支持定制电压(±5%精度)


●交付体系:

▶ 卷带包装(3000片/卷)

▶ 4小时快速样品申请


●生态支持:

▶ 提供热仿真模型及PCB布局指南

▶ 开放噪声优化算法SDK


结语


艾为电子以 “纳米封装×超低压差×极致降噪” 技术三角,重新定义微型电源芯片标准。AW37334YXXXFOR将推动AR眼镜光学模组厚度突破8mm极限,TWS耳机压力传感器续航提升至36个月,为消费电子微型化进程注入核心动能。


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