【导读】加州戈利塔, 2020年3月17日 - (亚太商讯) - Transphorm Inc.是一家设计和制造最高可靠性产品的领先公司，其研发了第一台符合JEDEC-和AEC-Q101标准的高压氮化镓（GaN）功率半导体元件。目前，经证实，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）已开发出一种基于GaN的超高效功率模块。3kW ZHR483KS采用Transphorm的GaN器件，效率达到98%，成为迄今为止电信行业效率最高的GaN驱动模块。原始设计制造商（ODM）可以将提供标准化输出连接器配置的ZHR483KS与现有的同功率模块交换，从而以较低的总体系统成本实现高可靠性、高性能解决方案。
设定行业标杆
ZHR483KS是HZZH首个基于GaN的功率解决方案，也是新产品线的龙头产品。该模块的输入电压范围为85伏至264伏，而其输出电压范围为42伏至58伏。Transphorm的TPH3205WS-GaN器件用于交错无桥图腾式PFC，以实现98%的半负载效率。GaN器件降低了功率模块的开关损耗和驱动损耗，因此ZHR483KS的性能优于以前使用超级结硅MOSFET的模块。
HZZH首席技术官Guo博士表示：“我们在寻找一种功率晶体管，帮助我们为客户开发一种更高效、更具成本效益的解决方案。我们曾考虑碳化硅器件，但在低电压条件下无法达到预期优势。然后，我们审查了几家GaN制造商的器件，最终鉴于可靠性、器件成本和实现简单，我们选择了Transphorm的GaN场效应晶体管（FET）。”
Transphorm的GaNFET是一种双芯片增强型场效应晶体管，可采用标准的TO-XXX封装和普通现成驱动器驱动的PQFN模块。当前的Gen III系列提供了GaN半导体行业最高阈值电压（4V）和最高门稳健性（±20V）。因此，客户能够轻松地设计出高可靠性的GaN解决方案，以实现该技术的高功率密度优势。
Transphorm亚洲区销售副总裁Kenny Yim说：“Transphorm在开发每一代GaN平台时都考虑了四个关键因素：可靠性、可驱动性、可设计性和可重复性。HZZH认为，我们的客户打破市场需要这四个因素，因此选择我们作为其GaN合作伙伴，于此，我们感到自豪。正是此次合作，我们的GaN被设计成各种不同的多千瓦电力系统，创造了行业记录。我们预计，随着我们未来在产品上的继续合作，HZZH将继续创新。”
ZHR483KS目前正在生产中。
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