【导读】英诺赛科宣布推出 100V 双向导通器件 INV100FQ030A，器件采用单 Gate 设计，通过控制 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑，实现充电保护可放电、放电保护可充电；同时大幅减少器件数量，缩小占板面积，降低整体系统成本。可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关、电源系统中的开关电路等领域实现高效应用。
英诺赛科产品部Shawn表示：“一颗 VGaN 可以替代两颗共漏连接的背靠背Si MOSFET，实现电池充电和放电双向开关，进一步减小导通电阻，降低损耗。VGaN 器件采用单 Gate 设计，通过控制 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑，实现充电保护可放电、放电保护可充电；同时大幅减少器件数量，缩小占板面积，降低整体系统成本。”
为便于客户验证和导入，英诺赛科同步提供 BMS 系统解决方案，设计方案涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。INV100FQ030A 在电池管理系统 (BMS) 中体现出明显优势，具备巨大的市场潜力。
产品特性
● 支持双向导通，双向截止，无反向恢复
● 极低的栅极电荷
● 超低的导通电阻 100V/3.2mΩ
● 超小的封装体积 FCQFN封装 4x6mm
应用领域
● 电池管理系统 (BMS)
● 双向变换器的高侧负荷开关
● 电源系统中的开关电路
● 性能与优势
INV100FQ030A与先前推出的100V单管器件INN100FQ016A，150V系列 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 三款产品采用兼容引脚设计，均为 FCQFN 4x6mm 封装，客户可以根据不同的应用需求进行规格选型。
INV100FQ030A 规格书首页
英诺赛科100V 氮化镓系列产品已量产三款WLCSP 封装产品（INN100W032A、INN100W027A 和 INN100W070A），两款 FCQFN 封装产品（INN100FQ016A、INN100FQ025A）。当前新增一款FCQFN 封装双向导通 VGaN 芯片 INV100FQ030A，进一步丰富了 100V InnoGaN 系列，扩大应用范围，也为更广泛的场景提供选择。基于持续创新与核心技术的提升，英诺赛科8英寸氮化镓IDM模式将加速应用系统小型化、更高效、更节能。
目前，INV100FQ030A 已进入小批量试产，如需申请样品，或查询详细的产品规格书、可靠性报告、仿真模型、VGaN BMS系统Demo方案等资料，可以通过微信公众号私信/留言联系获取。
推荐阅读：
