【导读】纳微半导体近日宣布，其面向超高压应用开发的2300V与3300V全系列碳化硅（SiC）功率产品已正式开放样品申请。该系列涵盖功率模块、分立器件及芯片等多元形态，旨在为智能电网、新能源发电及关键工业能源系统提供更高可靠性、更优性能的半导体解决方案，助力下一代高压电力基础设施的效能升级。
纳微半导体近日宣布，其面向超高压应用开发的2300V与3300V全系列碳化硅（SiC）功率产品已正式开放样品申请。该系列涵盖功率模块、分立器件及芯片等多元形态，旨在为智能电网、新能源发电及关键工业能源系统提供更高可靠性、更优性能的半导体解决方案，助力下一代高压电力基础设施的效能升级。
自主研发的沟槽辅助平面栅技术（TAP）SiC MOSFET 技术全面提升性能与可靠性
纳微全新3300V 和 2300V SiC器件基于其第四代 GeneSiC™ 平台研发，采用 TAP （沟槽辅助平面栅技术）架构，通过多级电场管理设计显著降低电压应力、提升耐压能力，相较传统 trench 或平面型 SiC MOSFET 展现更优的电压特性和可靠性。
纳微的SiC MOSFET不仅具有 TAP 架构带来的更高的长期可靠性与雪崩能力；同时，其优化的源极结构将实现更高的单元密度与更佳的电流扩散，进一步改善开关性能指标，并可在高温环境下降低导通电阻。
创新封装技术打造行业最优的系统耐用性与功率密度
纳微此次进一步扩展 3300V / 2300V UHV SiC 产品组合，提供灵活多样的封装格式，以满足客户端不同应用的需求。针对高功率密度与高可靠性系统，推出了先进的 SiCPAK™ G+ 功率模块，支持半桥与全桥拓扑。
SiCPAK™ G+ 模块采用独特的环氧树脂灌封技术，相比业内常见的硅胶灌封方案，可实现 >60% 的功率循环寿命提升，以及 >10 倍的热冲击可靠性改进。
该模块系列还采用 AlN DBC （氮化铝直接键合铜基板）以强化散热性能，并引入全新大电流压接引脚，使单 pin 电流能力提升一倍。
分立器件则提供业界标准的 TO-247 与 TO-263-7 封装。
强化型可靠性验证确保系统长期寿命
纳微推出行业首创的可靠性验证基准 AEC-Plus*，其验证范围远超既有的 AEC-Q101 与 JEDEC 标准。该标准体现了纳微对系统级长期寿命需求的深刻理解，并坚持为电网与能源基础设施等关键应用提供经过严苛设计与验证的高可靠性产品。
AEC-Plus 可靠性验证包含大量扩展项目，包括：
●动态反向偏置（DRB）与动态栅极切换（DGS），以模拟高速开关场景中的严苛工况
●静态高温高压测试（HTRB、HTGB、HTGB-R）时长延长至标准的 3 倍以上
● 模块级 HV-THB 与分立 / KGD 的 HV-H3TRB 资格认证
●更长周期的功率循环与温度循环测试
先进 KGD 生产筛选流程确保更高品质与可靠性
为满足定制化功率模块的需求，纳微最新一代 3300V 与 2300V SiC MOSFET 同时提供 KGD 裸片服务，为保证裸片与 SiCPAK™ G+ 模块的卓越质量，器件需通过先进的生产筛选流程，包括：
●切片后裸片的常温与高温全测试
●六面光学检测
高度严格的 KGD 方案确保纳微为客户仅提供最优质，最可靠的裸片，以用于系统制造，帮助客户获得更卓越的模组性能、良率与长期可靠性。
纳微半导体SiC 事业部副总裁兼总经理 Paul Wheeler：“全新的 3300V / 2300V SiC 产品组合将助力客户在 AI 数据中心固态变压器、以及公用事业级储能与可再生能源系统中进一步突破效率与可靠性瓶颈，树立关键系统应用的新标准。” 他同时补充道：“这一系列高可靠、高性能的超高压（UHV）碳化硅功率半导体产品，是我们迈向 10 KV 电网技术路线的重要一步。通过结合专有 TAP 技术与创新封装技术，执行更严格的可靠性验证和生产测试，从而持续引领行业，提供业界领先的高性能与高可靠性碳化硅产品。”
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