【导读】知名的GaN RF半导体解决方案供应商Gallium Semiconductor今天宣布推出GTH2e-2425300P ISM CW放大器，这是一款2.4-2.5 GHz、300W的预匹配离散型GaN on SiC高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）。GTH2e-2425300P可为各类工业、科学和医学（ISM）应用带来全新的效率水平，其中包括半导体等离子体源和用于生产合成金刚石的微波等离子体化学气相沉积（microwave plasma chemical vapour deposition，MPCVD）设备。
GTH2e-2425300P可在标准气腔中为ISM应用提供一流的宽带效率（>72%）和射频性能，并且所需的调谐最少
知名的GaN RF半导体解决方案供应商Gallium Semiconductor今天宣布推出GTH2e-2425300P ISM CW放大器，这是一款2.4-2.5 GHz、300W的预匹配离散型GaN on SiC高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）。GTH2e-2425300P可为各类工业、科学和医学（ISM）应用带来全新的效率水平，其中包括半导体等离子体源和用于生产合成金刚石的微波等离子体化学气相沉积（microwave plasma chemical vapour deposition，MPCVD）设备。
Gallium Semi的ISM CW放大器GTH2e-2425300P（照片：美国商业资讯）
3D RF Energy Corp首席执行官Roger Williams表示：“GTH2e-2425300P为2.45GHz ISM固态电源设计的性能和易用性树立了全新的标准。它的内部匹配功能实现了简单的PCB设计，无论是效率为76%的400W窄带设计，还是整个频带效率为72-74%的300W设计均是如此。它在AB级和C级都表现良好，并且其饱和功率下17dB的增益简化了驱动器的要求。”
GTH2e-2425300P可在2.4至2.5 GHz的频率范围内运行，并由50 V供电轨供电，从而产生了能够重新定义射频功率能力基准的效率额定值。该HEMT的峰值效率为76%（脉冲、100µs、10%占空比），体现了Gallium Semiconductor致力于提高射频性能的决心。相关测量数据显示，在连续波操作下，排水效率超过72%。符合资格的客户可以订购固定调谐演示板。
Gallium Semiconductor多市场产品营销总监Angelo Andres指出：“GTH2e-2425300P标志着射频功率放大的演变趋势，并强调了我们致力于优化ISM应用的性能的决心。各位工程师们正在寻找强大的供应链合作伙伴，以实现长期的产品可用性并获得长久的产品支持，而这正是Gallium Semiconductor通过GTH2e-2425300P所能够提供的。我们将会继续加强我们在ISM市场的产品组合，以进一步支持我们的客户。“
GTH2e-2425300P产品封装在ACP-800 4L气腔塑料包装中，其Super-CMC（陶瓷基复合材料）法兰具有出色的可靠性和热性能（0.67°C/W）。它还简化了与各种系统的集成，帮助射频工程师提升了开发过程。GTH2e-2425300P现已可供订购。
Gallium Semiconductor参加EuMW
9月19日至21日，Gallium Semiconductor将会在柏林举办的欧洲微波周469C号展位展出。除了GTH2e-2425300P，Gallium Semiconductor还将展示三款新的250 W L波段和S波段雷达产品以及一款新的直流至12 GHz通用宽带放大器。
关于Gallium Semiconductor：
Gallium Semiconductor是业界领先的RF GaN解决方案提供商。该公司专门从事开发和生产具有高性能和高效率的器件。Gallium Semiconductor专注于GaN-on-SiC技术，致力于为各种应用提供创新解决方案，其中包括无线通信、雷达系统、ISM和卫星通信。
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