【导读】英飞凌日前利用采用先进中性点钳位（advanced neutral-point-clamped ANPC）拓扑结构，将混合碳化硅（SiC）和IGBT功率模块EasyPACK 2B提升到1200V。该模块分别针对CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片组的最佳点损耗进行了优化，具有更高的功率密度和高达48 kHz的开关频率，适用于新一代1500V光伏和储能应用。
英飞凌日前利用采用先进中性点钳位（advanced neutral-point-clamped ANPC）拓扑结构，将混合碳化硅（SiC）和IGBT功率模块EasyPACK 2B提升到1200V。该模块分别针对CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片组的最佳点损耗进行了优化，具有更高的功率密度和高达48 kHz的开关频率，适用于新一代1500V光伏和储能应用。
与传统的三电平中点钳位拓扑结构相比，ANPC逆变器设计支持半导体器件之间均匀的损耗分布。该公司表示，新的ANPC拓扑结构超过99％的系统效率。在1500V太阳能串逆变器的DC / AC级中运用混合Easy 2B功率模块，可允许更小的线圈及更低开关频率的器件，最终其重量将明显小于纯硅部件的相位逆变器。此外，SiC的损耗小于硅工艺的损耗，因此可使用更小更便宜的散热器，最终实现更小的逆变器尺寸并节约系统成本。与五级拓扑相比，三级设计降低了逆变器设计的复杂性。
用于电源模块的Easy 2B标准封装具有低杂散电感的特点。英飞凌表示，CoolSiC MOSFET芯片的集成体二极管可确保低损耗续流功能，而无需其他SiC二极管芯片。
此外，英飞凌称，模块中的NTC温度传感器有助于系统温度监控，同时其还利用了Press-FIT压接工艺技术减少设备的组装时间。
