英诺赛科 VGaN 系列推出首颗 30V 新品 INV030FQ012A，再一次拓宽 VGaN 产品的电压范围。

INV030FQ012A 采用 FCQFN 4mm*6mm 封装，体积小巧，使用一颗 VGaN 即可替代传统方案中两颗共漏连接的背靠背 NMOS，降低占板面积，为系统板的小型化提供助力。该产品主要应用于过流保护，负载开关等应用场景，其超低导通电阻、宽 SOA 等特性使低损耗，耐短路冲击的优势在应用中更为显著。

产品特性

1. 双向导通能力

2. 先进的超低导通电阻低压技术

3. 超小封装体积

4. 零反向恢复充电电量

产品优势

INV030FQ012A 与传统 MOSFET 相比，具备以下优势：

1. FCQFN 4x6mm 封装，一颗 GaN 能替代两颗 MOSFET，较传统MOSFET 占板面积可缩小 50%；

2. Ron(max) 1.2mΩ，超低导通电阻，较传统 MOSFET 减少 50%；

3. 具有更宽的 SOA，鲁棒性高，能耐受短路冲击。

同时，INV030FQ012A 的封装与之前推出的 40V VGaN INN040FQ012A Pin to Pin，可直接替换，给客户更多的电压选择，更灵活地调整系统 BOM。

应用领域

1. 高边负载开关

2. 过压保护

3. 电池保护

INV030FQ012A 规格书首页

截至目前，英诺赛科已发布 VGaN 系列产品共6款，覆盖电压范围30V~100V，方便客户根据自身的产品定制选择。

VGaN 产品汇总表

新品 INV030FQ012A 当前已进入量产阶段，可通过官网查询详细产品规格书、可靠性报告、

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