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ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”

发布时间:2021-04-20 责任编辑:wenwei

【导读】全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)新开发出四款兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM*1(Intelligent Power Module)“BM6437x系列”,该系列产品可内置于空调、洗衣机等白色家电和小型工业设备(如工业用机器人用的小容量电机等)中,且非常适用于各种变频器的功率转换。
 
ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”
 
近年来,随着物联网的普及,白色家电和工业设备的自动化进程加速,使得产品的功耗不断增加,为了有效利用有限的地球资源和电力,对进一步降低功耗的需求不断提高,与此同时,对于负责功率转换工作的功率半导体之一IGBT以及配备了IGBT的模块,也提出了进一步降低功耗的要求。
 
另一方面,在IGBT IPM的开发中,为了降低功耗通常会优先考虑低损耗,致使产品噪声特性恶化的情况较多,这就需要改善噪声特性。
 
在这种情况下,ROHM新开发出四款可同时降低辐射噪声和功率损耗、并在这两方面均实现了业内超高特性的IGBT IPM系列产品。
 
此次开发的新产品通过优化内置FRD(Fast Recovery Diode,快速恢复二极管)的软恢复性能和内置IGBT,与普通产品相比,辐射噪声降低6dB以上(峰值比较时),这使得削减以往所需的噪声滤波器成为可能。此外,还配备了已实现更低损耗的最新IGBT元件,与ROHM以往产品相比,新产品的功率损耗降低了6%(fc=15kHz时),已达到业界超高水平,有助于降低各种应用设备的功耗。并且,该系列产品还显著改善了温度监控功能,实现了±2%(相当于2℃)的高精度,这使得削减以往高精度温度监控器所需的外置热敏电阻数量同样成为可能,有助于减少元器件数量和设计工时。不仅如此,此次的新产品还新增了安装在电路板上之后的产品识别功能,有助于防止误装。
 
本系列产品已于2021年1月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格 3,000日元/个,不含税),可从AMEYA360、SEKORM电商平台购买,1枚起售。
 
未来,ROHM将继续扩充本系列产品的阵容,同时推进车载级产品的开发,助力进一步降低功耗和减少设计工时,并为解决环境保护等社会问题贡献力量。
 
ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”
 
ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”
 
ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”
 
<新产品特点>
 
1. 同时实现业内出色的降噪特性和低损耗特性
 
通过优化内置FRD的软恢复性能和内置IGBT,使辐射噪声比普通产品低6dB以上(比较峰值时)。其业内出色的噪声特性,使得削减以往所需的噪声滤波器成为可能。此外,通过内置ROHM最新的IGBT元件,降低了导通损耗和开关损耗,与以往产品相比,功率损耗降低6%(fc=15kHz时)。因其在业内具有超高特性,从而有助于降低各种设备的功耗。
 
2. 温度监控功能的精度显著提高,使削减外置热敏电阻成为可能
 
相比普通产品±5%(相当于5℃)(90℃时)的温度监控功能保证,新产品的精度大大改善,可达到与热敏电阻同等的保证精度±2%(相当于2℃)(同样90℃时) 。这使得削减以往高精度温度监控器所需的外置热敏电阻数量成为可能,从而有助于减少元器件数量和设计工时。
 
ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”
 
3. 具备安装于电路板后的产品识别功能,可防止误装
 
作为新功能,新产品增加了产品识别功能。通常,产品名称会印在模塑表面上,以往在电路板上安装后很难进行确认,但是本系列新产品可以通过阻抗测量仪识别已安装到电路板上的产品,有助于防止封装相同的其他公司产品和电流值不同的产品误装。
 
<产品阵容>
 
ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”
 
<应用示例>
 
●     空调、洗衣机和冰箱等白色家电用的变频器
●     工业机器人中的小容量电机等小型工业设备用的变频器
●     其他进行变频器控制的配备压缩机或电机的应用等
 
<术语解说>
 
*1) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管)
 
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管。
 
IGBT IPM(Intelligent Power Module的缩写)
 
配有非常适合IGBT器件的专用驱动电路,并集成了具有自我保护等功能的高性能模块。
 
 
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