士兰微电子的RC-IGBT产品是基于士兰微电子独立自主开发的第三代场截止（Field-Stop III）工艺平台，实现在场截止型IGBT器件内部集成了续流二极管结构。现在，士兰微电子在自有的8英寸芯片生产线上已经全部实现了几类关键工艺的研发与批量生产，是目前国内唯一一家全面掌握上述核心技术的大尺寸功率半导体器件厂家。

 

士兰微电子此次推出的RC-IGBT系列产品可以实现最高1350V的额定击穿电压，同时针对家用电磁炉工作频率提升的应用需求，重新优化了器件的饱和压降Vce(sat)以及内部集成二极管的正向压降VF，从而实现器件在开关过程中具有低损耗的要求。值得注意的是，为了达到上述目标要求，器件工程师重新优化了IGBT的器件晶胞结构，调整器件发射区元胞间距尺寸，进而提升了IGBT器件在导通时栅极下方PIN二极管区域的少数载流子的浓度，降低器件饱和压降。

 

此外，对于特定耐压指标的IGBT器件，其芯片厚度也是特定的，需要减薄到200um以下。比如在100~200um的量级，当硅片磨薄到如此地步后，后续的加工处理就比较困难了，特别是对于8寸以上的大硅片，极易破碎，难度非常大。而士兰微电子的该款RC-IGBT产品采用了士兰微子公司--士兰集昕的8寸超薄晶圆加工工艺进行开发，芯片厚度<150um。在工艺开发过程中，为突破超薄晶圆的加工难题，士兰微电子投资近2000万美元引入了领先的Taiko减薄、光刻、高能注入、激光退火等全套先进后段设备，解决了Taiko超薄晶圆背面光刻匀胶、光刻、显影等工艺难点，最终实现1350V RC-IGBT产品的量产。这些士兰微电子的创新性工艺研发保证了该产品的技术优势。

 

为应对市场需求，突出差异化特点，士兰微电子根据不同细分市场客户制定不同的策略，为终端制造商提供一站式服务，建立了长期的客户资源优势。通过多渠道的市场推广，士兰微电子已经摸清了国内IGBT行业的市场情况，对每个细分市场的需求也有了较为清晰的认识，可根据客户的要求，针对性的对方案进行定制和测试，以满足客户不同类型产品的应用需求。

 

针对IGBT模块多芯片组装的特殊质量要求，士兰微电子投资建设了自己的功率模块封装生产线，较好地提升和稳定了质量，同时控制了成本，使得产品在价格、供货以及技术支持方面也有着一定的优势。

 

如针对电磁炉细分市场，士兰微电子的IGBT产品可以为客户提供全套解决方案和技术支持，使客户先于竞争对手推出安装方便和质量可靠的整机产品，并持续进行质量提升和成本优化，扩大市场占有率和竞争优势，积极与市场行业领航者合作，建立了信息共享和深度合作机制，实现了强强联合。后期士兰微电子将在商用电磁炉、电焊机、变频器领域持续投入研发，并瞄准工业控制、汽车、电力等更高标准的工业市场逐步推进。

 

通过耕耘细分市场，并与部分家电制造企业进行了深入地交流合作，士兰微电子打破了国外公司对于IGBT器件的长期垄断，产品处于国内领先水平。经过客户的积极配合和反复验证，士兰微电子所开发的IGBT已在多个领域通过了客户的严格测试并导入量产。

 

 

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