【导读】碳化硅(SiC)功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能，对电力电子行业的发展具有重要意义。作为最先实现产业化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的动态性能，基本半导体自主研发的650 -1700V 3D SiC™系列碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)已火热上市，凭借其优越性能广受市场追捧。
碳化硅(SiC)功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能，对电力电子行业的发展具有重要意义。作为最先实现产业化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的动态性能，基本半导体自主研发的650 -1700V 3D SiC™系列碳化硅肖特基二极管(SiC JBS)已火热上市，凭借其优越性能广受市场追捧。
SiC JBS产品优势
作为单极型器件，SiC JBS在工作过程中没有少数载流子储存，其反向恢复电流主要取决于耗尽层结电容，反向恢复电荷以及反向恢复损耗比Si超快恢复二极管要低一到两个数量级。更重要的是，与之匹配的开关管的开通损耗也可以得到大幅度减少，可提高应用电路的开关频率。在常温下，其正态导通压降和Si超快恢复器件基本相同，但SiC JBS的导通电阻具有正温度系数，使得SiC JBS适合并联应用。在变频或逆变装置中用SiC JBS替换 Si 快恢复二极管，可显著提高系统工作频率和整机效率。
SiC JBS三大结构
SiC JBS性能优势是大电流密度、高工作结温，其结构发展方向为：衬底减薄、使用Trench JBS结构和MPS(Merged PiN Schottky)结构。衬底减薄技术能够有效地减小低压SiC JBS的导通电阻，增强器件浪涌电流能力，减小器件热阻，有利于器件在更高电流密度下工作。MPS结构有利于提高器件的浪涌电流能力。
在SiC JBS器件制程工艺中，p阱离子注入SiC晶格的深度受离子注入设备能力限制(<1um)，反偏条件下浅p-n结对肖特基结的屏蔽作用不是特别明显，只有在相邻p阱之间的间距较小时才能突显出来，但同时带来的正向导通沟道宽度变窄效应使得正向导通压降显著增加。为了解决这一问题，新一代SiC JBS的发展方向是Trench JBS结构或嵌入式JBS结构。
基本半导体SiC JBS产品优势及应用领域
基本半导体致力于开发3D结构的嵌入式SiC JBS二极管，与传统的SiC JBS二极管相比，嵌入式JBS二极管正反向特性都得到了改善。嵌入式JBS二极管消除了离子注入P阱对肖特基接触面积的影响，有利于增大电流密度，同时有利于提高阻断电压和雪崩能力。基本半导体高性能SiC JBS可广泛应用于开关电源、UPS、马达驱动、PFC等领域。
产品特征
Ø 低反向漏电流
Ø 零反向恢复电流
Ø 低正向导通压降
Ø 正温度系数VF值
Ø 高抗浪涌电流能力
系统优势
Ø 低开关损耗
Ø 高效率
Ø 高功率密度
Ø 更高频化应用
Ø 低热阻-降低散热要求
Ø 减小磁性元件体积和成本
SiC JBS重点产品推荐
1、B1D20120HC Ø IF(135℃)：26A
Ø VF 25℃：1.45V
Ø VF 175℃：2.3V
Ø IFSM (tp = 10 ms)：160A
2、B1D20065HC Ø IF(135℃)：30A
Ø VF 25℃：1.45V
Ø VF 175℃：1.8V
Ø IFSM( tp = 10 ms)：180A
3、B1D10065K Ø IF(135℃)：14A
Ø VF 25℃：1.43V
Ø VF 175℃：1.8V
Ø IFSM(tp = 10 ms)：85A
基本半导体SiC JBS产品型号
