安森美半导体最新发布的650 V SiC 二极管系列提供6安培（A）到50 A的表面贴装和穿孔封装。所有二极管均提供零反向恢复、低正向压、不受温度影响的电流稳定性、高浪涌容量和正温度系数。

 

工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时，往往面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。这些全新的二极管能为工程师解决这些挑战。

 

这些650 V器件提供的系统优势包括更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向电压（VF）及SiC二极管的无反向恢复电荷能减少功率损耗，因而提高能效。SiC二极管更快的恢复速度令开关速度更高，因此可以缩减磁性元件和其他无源元件的尺寸，实现更高的功率密度和更小的整体电路设计。此外，SiC二极管可承受更高的浪涌电流，并在 -55至 +175°C的工作温度范围内提供稳定性。

 

安森美半导体的SiC肖特基二极管具有独特的专利终端结构，加强可靠性并提升稳定性和耐用性。此外，二极管提供更高的雪崩能量、业界最高的非钳位感应开关（UIS）能力和最低的电流泄漏。

 

安森美半导体MOSFET业务部高级副总裁兼总经理Simon Keeton表示：“安森美半导体新推出的650 V SiC二极管系列与公司现有的1200 V SiC器件相辅相成，为客户带来更广泛的产品范围。SiC技术利用宽带隙 (WBG) 材料的独特特性，比硅更实惠，其稳健的结构为严苛环境中的应用提供可靠的方案。我们的客户将受益于这些简化的、性能更佳、尺寸设计更小的新器件。”