【导读】英飞凌科技宣布推出CoolGaN™ G5系列中压晶体管，成为全球首款专为工业应用设计的集成肖特基二极管的氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品通过将肖特基二极管直接嵌入GaN晶体管结构，有效消除传统功率转换中的死区时间损耗，显著提升系统能效。
英飞凌科技（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）宣布推出CoolGaN™ G5系列中压晶体管，成为全球首款专为工业应用设计的集成肖特基二极管的氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品通过将肖特基二极管直接嵌入GaN晶体管结构，有效消除传统功率转换中的死区时间损耗，显著提升系统能效。
集成肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管
在硬开关应用中，由于GaN器件的有效体二极管电压（VSD ）较大，基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长，那么这种情况就会更加严重，导致效率低于目标值。目前功率器件设计工程师通常需要将外部肖特基二极管与GaN晶体管并联，或者通过控制器缩短死区时间。然而，无论哪种方法都需耗费额外的精力、时间和成本。而英飞凌新推出的 CoolGaN™ G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管，能显著缓解此类问题，适用于服务器和电信中间总线转换器IBC）、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源（PSU） 和电机驱动等应用场景。
英飞凌科技中压GaN产品线副总裁Antoine Jalabert表示：“随着GaN技术在功率设计中的应用日益广泛，英飞凌意识到需要不断改进和提升这项技术，才能满足客户不断变化的需求。此次推出的集成了肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管体现了英飞凌致力于加快以客户为中心的创新步伐，进一步推动宽禁带半导体材料的发展。”
由于缺乏体二极管，GaN晶体管的反向传导电压（VRC）取决于阈值电压（VTH）和关断态下的栅极偏置偏压（VGS）。此外，GaN晶体管的VTH 通常高于硅二极管的导通电压，这就导致了反向传导工作（也称为第三象限）期间的劣势。因此，采用这种新型CoolGaN™ 晶体管后，反向传导损耗降低，能与更多高边栅极驱动器兼容，且由于死区时间放宽，控制器的兼容性变得更广，显著简化设计。
首款集成肖特基二极管的GaN晶体管为采用3 x 5 mm PQFN 封装的100 V 1.5 mΩ晶体管。
供货情况
工程样品和目标数据表可应要求提供。
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,060名员工（截至2024年9月底），在2024财年（截至9月30日）的营收约为150亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。
英飞凌中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约3,000多名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术应用支持、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
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