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Bourns 推出首款650 V – 1200 V碳化硅肖特基势垒二极管

发布时间:2023-07-08 责任编辑:lina

【导读】美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商,隆重宣布首款 650 V – 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 正式上市。 Bourns® SiC SBD 系列提供六款型号,旨在提供出色的载流和散热能力以及高功率密度,从而提高性能和可靠性。这些功能使 Bourns® SiC SBD 成为最佳的高效电源转换解决方案,适用于日益增长、需要满足减小尺寸和降低系统成本要求的各项高频应用。

 

六款全新 Bourns® SiC BSD (Silicon Carbide Bridge Rectifier) 具备卓越的载流和散热能力,以及符合当今高频和大电流设计所需的高功率密度。


Bourns 推出首款650 V – 1200 V碳化硅肖特基势垒二极管

Bourns’ 全新碳化硅肖特基势垒二极管


2023年6月27日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商,隆重宣布首款 650 V – 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 正式上市。 Bourns® SiC SBD 系列提供六款型号,旨在提供出色的载流和散热能力以及高功率密度,从而提高性能和可靠性。这些功能使 Bourns® SiC SBD 成为最佳的高效电源转换解决方案,适用于日益增长、需要满足减小尺寸和降低系统成本要求的各项高频应用。Bourns® BSD 系列 SiC SBD 提供的功能可使电信/服务器开关模式电源 (SMPS)、光伏逆变器、PC 电源和电机驱动器等应用受益。


为了满足不断提高功率效率的设计需求,Bourns® SiC SBD 具有低正向电压 (VF) 及高导热性,不仅提高效率,同时降低功耗,满足 650 V 和 1200 V 解决方案的应用要求。Bourns® SiC SBD 亦没有反向恢复电流,可降低 EMI,从而使这些 SiC SBD 能够显著降低能量损耗。除了提供 650 V 至 1200 V 工作电压和 6-10 A 范围内的电流外,Bourns 的六款新型 BSD 宽带隙二极管还为设计人员提供了各种正向电压、电流和封装选项,包括 TO220-2、TO247-3 、TO252 和 DFN8x8。


Bourns® 六款全新 BSD 系列碳化硅肖特基势垒二极管现已上市,全系列均符合 RoHS* 标准且为无卤**、无铅产品,其环氧灌封胶具有阻燃性,符合 UL 94V-0 标准。


关于美国柏恩(Bourns)

Bourns — 是电子零组件业界的龙头制造供货商,公司总部位于美国加州的河边市,其产品包含:位置与速度传感器、电路保护解决方案、磁性组件、微电子模块、面板控制器及电阻产品,服务产业涵盖汽车、工业、消费、通信、非关键性的生命支持医疗(低/中风险)†、音频以及其他各种市场。


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