要求更高的效率及更高的功率密度的应用,不需要选择小尺寸还是高性能了，因为EPC2052可以同时实现小尺寸及高性能! EPC2052的尺寸只是1.5毫米乘1.5毫米（即2.25平方毫米）。EPC2052的占板面积虽然小，它工作在48 V–12 V降压转换器、500 kHz频率下开关及10 A输出电流时，可实现超过97%的效率！如果在1 MHz、10 A输出电流时，则可实现超过96%的效率。此外，低成本的EPC2052与等效硅MOSFET的成本可比。受惠于EPC2052的高性能、小尺寸及低成本优势的应用包括面向运算及通信系统的48 V输入功率转换器、激光雷达、LED照明及D类音频放大器。

 

宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow说：“氮化镓(eGaN)器件在高频下工作可实现高效率，在性能及成本方面得以扩大与等效硅基器件的绩效差距。100 V的EPC2052氮化镓场效应晶体管比等效MOSFET小型化很多，而且它可以在高频下工作，从而让设计师可以进一步节省占板面积。”

 

开发板

 

EPC9092开发板的器件的最大电压为100 V、半桥式、采用EPC2052晶体管及TI公司的栅极驱动器（LMG1205）。开发板的尺寸为2英寸乘2英寸（50.8毫米乘50.8毫米），专为最高开关性能而设，而且包含所有重要组件，使得工程师可以易于对100 V的EPC2052 eGaN FET进行评估。

 

价格及供货

 

EPC2052 eGaN FET在批量为1,000片时的单价为0.68美元，如果批量是100,000片，其单价为0.54美元。EPC9092开发板的单价为118.75美元。

 

 

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