【导读】业界领先的存储解决方案提供商兆易创新（GigaDevice）于2026年3月11日正式宣布，其1.2V超低功耗SPI NOR Flash GD25UF系列成功实现从8Mb至256Mb的全线容量扩展。这一战略升级不仅精准契合了从高性能AI边缘计算到微型可穿戴设备等多元化场景的差异化需求，更通过消除电压转换损耗、精简系统架构，为新一代智能终端在续航能力、小型化设计及边缘AI部署上注入了强劲动力，标志着低功耗存储技术迈向了适配未来算力架构的新高度。
深度适配SoC低电压演进，重塑系统设计架构
随着半导体工艺的持续革新，为了追求更高的能效比，先进的主控芯片与处理器工作电压已逐步跨入1.2V时代。兆易创新GD25UF系列SPI NOR Flash应需而生，其1.14V至1.26V的工作电压完美匹配了这一低电压主控平台趋势。
GD25UF系列能够与1.2V主控实现电源系统的无缝衔接，开发者无需再为存储器额外配置电压转换电路或复杂的电源管理模块。这种架构上的精简不仅大幅减少了外围元器件的数量，降低了系统整体BOM成本，更从源头上消除了电压转换过程中的能量损耗，显著提升了能源利用效率。
双向容量扩展：满足AI计算与小型化双重挑战
随着AI基础设施由超大规模数据中心向边缘侧不断延伸，在更大规模模型、更复杂推理任务以及海量数据传输趋势的推动下，AI服务器、高性能计算平台及机器学习系统正面临与日俱增的需求压力。从超大规模数据中心的代码存储，到CXL等高带宽内存互连架构，再到光模块的高速数据传输，稳定可靠的本地非易失性存储正变得愈发关键。为此，GD25UF系列将容量进一步扩展至256Mb，以提供更充足的存储空间，推动AI推理效率与系统灵活性的提升。
与此同时，针对物联网、智能可穿戴设备及光模块等对空间布局极其苛刻的应用场景，GD25UF系列提供低至8Mb的小容量选择，并支持WLCSP晶圆级封装。这一举措确保了在极度受限的物理空间内，依然能提供卓越的存储性能，助力终端产品实现极致的轻量化设计。
卓越的功耗与可靠性表现
GD25UF具备优异的功耗与性能表现。该系列支持单通道、双通道、四通道及DTR四通道SPI模式，最高时钟频率STR 120MHz，DTR 80MHz，数据吞吐量高达80MB/s。GD25UF系列特别提供了Normal Mode和Low Power Mode两种工作模式，较于传统的1.8V Flash产品，该系列的工作电压降低约33%，功耗可降低50%至70%。这一突破性表现对于智能健康监测、单电池供电的物联网设备而言至关重要，能有效延长设备的续航时间，提升用户体验。
此外，该系列展现了极高的可靠性，支持10万次擦写及20年数据保存期限，其工作温度范围广泛覆盖-40℃~85℃、-40℃~105℃及-40℃~125℃，能够满足从严苛工业环境到高性能车规级的全温度等级要求。目前，兆易创新GD25UF系列各容量型号均已量产，该系列产品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP多种封装选择，客户可联系当地销售代表或授权代理商获取样品及详细技术支持。
总结
兆易创新GD25UF系列凭借其与1.2V主控平台无缝衔接的架构优势、覆盖8Mb至256Mb的灵活容量选择以及高达70%的功耗降低表现，已成为推动AI ASIC、医疗电子及物联网设备创新的关键基石。该系列产品不仅在性能上实现了最高80MB/s的数据吞吐量与车规级可靠性的完美平衡，更通过多样化的封装选项满足了极致空间受限的设计挑战；随着全线型号的正式量产，GD25UF系列将加速赋能全球客户构建更高效、更持久且更智能的边缘计算生态。
