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其它二极管

东芝推出两款650V/12A碳化硅肖特基势垒二极管

东芝推出两款650V/12A碳化硅肖特基势垒二极管

东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)推出“TRS12A65F”和“TRS12E65F”两款650V/12A碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD),这种新兴材料有助于节约电能和提高电源PFC效率。共有两种封装类型,其中TRS12A65F使用绝缘型封装TO-220F-2L,TRS12E65F采用非绝缘型封装TO-220-2L。为了解决设备功耗增加的问题,我们最新推出拥有12A正向电流的产品。

Littelfuse推出一系列新的50A单向TVS二极管阵列

Littelfuse推出一系列新的50A单向TVS二极管阵列

芝加哥,2020年10月6日—电路保护,功率控制和传感领域领先技术的全球制造商Littelfuse,Inc.(纳斯达克股票代码:LFUS)今天宣布推出一系列新的50 A单向TVS二极管阵列(SPA®二极管)。与市场上目前可用的解决方案相比,SP1250-01ETG 50 A单向TVS二极管阵列通过较低的钳位电压和低泄漏电流提供了出色的保护,所有这些都节省了PCB空间。

UnitedSiC推出新型结垒肖特基二极管,为SiC浪涌电流坚固性树立新标杆

UnitedSiC推出新型结垒肖特基二极管,为SiC浪涌电流坚固性树立新标杆

10月26日消息,美国SiC功率半导体制造商UnitedSiC日前宣布推出四款新型结垒肖特基(JBS)二极管,以补充其FET和JFET晶体管产品。UJ3D 1200V和1700V器件号称具有业界最佳的浪涌电流性能,是该公司第3代SiC Merged-PiN-Schottky(MPS)二极管的一部分。

Microchip推出最新一代汽车用700和1200V碳化硅肖特基势垒二极管

Microchip推出最新一代汽车用700和1200V碳化硅肖特基势垒二极管

汽车电气化浪潮正席卷全球,电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅(SiC)等创新电源技术。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)功率器件,为电动汽车(EV)系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案,同时支持丰富的电压、电流和封装选项

Nexperia推出符合AEC-Q101标准的无引脚CAN-FD保护二极管

Nexperia推出符合AEC-Q101标准的无引脚CAN-FD保护二极管

半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出适用于CAN-FD应用的新款无引脚ESD保护器件。器件采用无引脚封装,带有可湿锡焊接侧焊盘,支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101标准,同时提供行业领先的ESD和RF性能,节省了PCB空间。

弗吉尼亚理工大学开发出用于飞机热管理技术的热敏二极管

弗吉尼亚理工大学开发出用于飞机热管理技术的热敏二极管

电气工程师显然对基本的二极管非常熟悉和适应,它是一个被动的重要部件,只能限制电流流向一个方向,而机械工程师则有相应的止回阀,对流体流动起到类似的作用。然而无论哪个学科,所有的工程师都熟悉热力学的基本知识.这表明,如果没有某种主动热泵,热量总是会从一个较暖的体流向一个较冷的体。

Vishay推出650V SiC肖特基二极管,提高了高频应用的效率

Vishay推出650V SiC肖特基二极管,提高了高频应用的效率

宾夕法尼亚州马尔文市-2021年1月25日-Vishay Intertechnology,Inc.(纽约证券交易所代码:VSH)今天​​推出了10个新的650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。 Vishay Semiconductors器件采用合并的PIN肖特基(MPS)设计,旨在通过降低开关损耗来提高高频应用的效率,而不受温度变化的影响,从而使二极管能够在更高的温度下工作。

东芝扩充60V肖特基势垒二极管产品阵容

东芝扩充60V肖特基势垒二极管产品阵容

东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)推出四款60V肖特基势垒二极管(SBD)新产品——CUHS15F60、CUHS20F60、CUHS15S60和CUHS20S60。适用于高电压整流的电源产品,同时也扩充了自身的产品线。

njr推出世界最小尺寸且具有高散热性的650V/10A碳化硅肖特基二极管

njr推出世界最小尺寸且具有高散热性的650V/10A碳化硅肖特基二极管

新日本无线研制出世界最小尺寸且具有高散热性的650V/10A碳化硅肖特基二极管NJDCD010A065AA3PS,并开始提供样片。这次开始提供的样片NJDC010A065AA3PS是使用了碳化硅材料的世界最小尺寸的肖特基二极管,其最大额定值为650V/10A,与传统硅的快速恢复二极管相比,可以实现低损耗和高速切换工作。

PI推出600V Qspeed二极管可替代汽车应用中的SiC元件

PI推出600V Qspeed二极管可替代汽车应用中的SiC元件

PI通过AEC-Q100认证的最新Qspeed二极管具有所有600V硅二极管中最低的反向恢复电荷(Qrr)。QH12TZ600Q二极管扩充了我们的汽车级二极管产品阵容,具有与碳化硅(SiC)器件相同的低开关损耗性能,但并不会增加成本。

ROHM开发出小型高效的肖特基势垒二极管

ROHM开发出小型高效的肖特基势垒二极管

ROHM开发出小型高效的肖特基势垒二极管

Littelfuse 1700V碳化硅肖特基势垒二极管提供更快的开关和更高的效率

Littelfuse 1700V碳化硅肖特基势垒二极管提供更快的开关和更高的效率

芝加哥,2021年8月3日 - 致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力的工业技术制造公司Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS)今天宣布对其碳化硅(SiC)二极管产品组合进行扩充,新增1700 V级产品。 观看视频。

ROHM推出小型PMDE封装二极管产品

ROHM推出小型PMDE封装二极管产品

全球知半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)为满足车载设备、工业设备和消费电子设备等各种应用中保护电路和开关电路小型化需求,推出了PMDE封装(2.5mm×1.3mm)产品,此次,又在产品阵容中新增14款机型。

东芝扩展了有助于电子设备质量改进的浪涌保护齐纳二极管

东芝扩展了有助于电子设备质量改进的浪涌保护齐纳二极管

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出SOT-23封装产品,扩充了“MKZ系列”齐纳二极管产品线。齐纳二极管可防止电子器件受开关浪涌[1]以及ESD(静电放电)[2] 的影响。

Nexperia超低电容ESD保护二极管保护汽车数据接口

Nexperia超低电容ESD保护二极管保护汽车数据接口

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低钳位和超低电容ESD保护二极管系列产品组合。该产品组合旨在保护USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽车A/V监视器、显示器和摄像头等高速数据线。此外,该产品组合还旨在解决未来高速视频链路以及开放技术联盟MGbit以太网应用。

东芝推出采用超小型SOD-962封装的过压保护齐纳二极管

东芝推出采用超小型SOD-962封装的过压保护齐纳二极管

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出“CSLZ系列”齐纳二极管,可保护半导体器件,避免受开关浪涌/感应雷电浪涌[1],以及静电放电(ESD)[2] 的影响。本产品线有10款产品,齐纳电压覆盖范围5.6V至30V(典型值)。

Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围

Nexperia成功增强其CFP功率二极管的范围

基础半导体器件领域的高性能生产专家Nexperia今天宣布推出其快速扩展的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列的最新产品,主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管,均封装在CFP15B中。包含通用型号和符合AEC-Q101车规标准的带Q的器件。通过将多种版本的器件推向市场,Nexperia强调了其扩大产能、加快向体积更小和热优化的封装过渡的承诺。让工程师仅从一家供应商即可获取市场上最为广泛的CFP封装二极管产品组合。

Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块

Vishay推出新型EMIPAK 1B封装二极管和MOSFET功率模块

宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年11月24日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,针对车载充电应用专门推出七款新型二极管和MOSFET功率模块。含有各种电路配置的集成解决方案采用PressFit引脚压合专利技术,将高效快速体二极管MOSFET和SiC、FRED Pt®和MOAT二极管技术结合在小型EMIPAK 1B封装中。

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