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其它二极管
Diodes推出首款碳化硅萧特基势垒二极管
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120 系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并提高持续运行性能。例如，相比仅使用硅基解决方案的数据中心，配备采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二极管设计电源的数据中心将更加符合严格的能源效率标准。
高意推出100G PAM4 VCSEL与光电二极管阵列
数据通信收发器元器件行业的领导者Coherent高意(纽交所：COHR)今日宣布推出100G PAM4垂直腔面发射激光器(VCSEL)和光电二极管(PD)阵列。新产品专门面向800G短距数据通信可插拔收发器和有源光缆(AOC)。
特瑞仕开始提供使用了SiC的850V/10A肖特基势垒二极管的样品
特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 以下简称“特瑞仕”） 已经开始提供使用了SiC的850V/10A 肖特基势垒二极管、 XBSC11A108CS 的样品。该产品作为功率半导体产品新产品, 有助于空调以及电动汽车充电的电源系统的低功率化和小型化。
纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管，布局SiC生态系统
碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，相较于硅（Si），具有更大的介电击穿强度、更快的饱和电子漂移速度和更高的热导率。这使得碳化硅在功率半导体器件方面表现出高耐压、高速开关、低导通电压和高效率等特性，从而降低了能耗并缩小了系统尺寸。特别是在光伏、储能、充电和电动汽车等高压大功率应用中，碳化硅材料的优势得以充分发挥。
Bourns推出10款新型号碳化硅肖特基势垒二极管产品
2023年9月26日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日推出 10 款新型号 650 和 1200 V 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 产品系列。Bourns® SiC SBD 系列本次扩增的 10 款新型号，旨在满足不断增长的交通运输、可再生能源和工业系统中的高功率密度要求。Bourns 新款宽带隙二极管具备满足现今高频率和大电流应用所需的关键特性，包括峰值正向浪涌电流、低正向压降、降低的热阻以及低功耗。这些特性还有助于设计人员开发
Nexperia推出超低电容ESD保护二极管产品组合
Nexperia宣布扩展其超低电容ESD保护二极管产品组合。此次新增器件包括PESD18VF1BLS-Q、PESD24VF1BLS-Q、PESD30VF1BLS-Q和PESD32VF1BLS-Q，均采用DFN1006BD-2封装，可在汽车生产线中通过侧边爬锡进行光学检测。该系列器件旨在保护汽车信息娱乐应用的USB、HDMI、高速视频链路和以太网等接口的高速数据线路。
