这两款新产品使用第二代优化JBS（结型势垒控制肖特基）架构，其品质因数（VF・Qcj[1]）较使用第一代相比降至67%左右[2]，因具备最大值为97A[3]的更高的非重复性峰值正向浪涌电流和典型值为1.45V的更低的正向电压。因此，新产品相对不易损坏，且功率损耗较低。介于高电压和低功率损耗的特点，新款碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）与拥有相同封装尺寸的现有Si FRD[4]产品相比，能够适应更高的电压和电流环境。由于新产品功率损耗降低，因此对产品的散热需求也相应减少，从而提升了散热装置的效率和裕度。

 

东芝未来还会扩展该系列产品，帮助通信设备、服务器、逆变器和其他产品提升效率并实现小型化。

 

注：

 

[1] Qcj：结电容反向电压在0.1V和400V之间的总电荷，根据Cj-VR曲线计算得出（自2019年11月起）

[2] 与TRS12E65C比较

[3] 以TRS12E65F为例

[4] FRD（快速恢复二极管）

 

特点

 

●    较高的非重复性峰值正向浪涌电流：

     ○ IFSM＝92A（TRS12A65F）

     ○ IFSM＝97A（TRS12E65F）

●    较低的反向电流：IR＝0.6μA（典型值）

●    两种封装类型：

     ○ 绝缘型封装TO-220F-2L（TRS12A65F）

     ○ 非绝缘型封装TO-220-2L（TRS12E65F）

 

应用

 

●    工业设备的电源

（基站、PC服务器，电车供电设施和激光加工机床等）

●    消费设备的电源

（有机EL电视、音频放大器、投影仪和多功能打印机等）

 

产品规格

 

 

内部电路

 

 

应用电路实例

 

 

 

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