【导读】日前，Vishay宣布推出采用薄型PowerPAK® 10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。
2022年10月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK® 10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n沟道 SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中600 V MOSFET的重要优值系数（FOM）创业界新低。
Vishay提供丰富的MOSFET技术以支持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各种高科技系统。随着SiHK045N60EF的推出，以及其他第四代600 V EF系列器件的发布，Vishay可满足电源系统架构前两级提高能效和功率密度的要求——包括图腾柱无桥功率因数校正（PFC）以及其后的DC/DC转换器模块。典型应用包括边缘计算和数据存储、不间断电源、高强度放电（HID）灯和荧光灯镇流器照明、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动和电池充电器。
SiHK045N60EF基于Vishay高能效E系列超结技术，10 V条件下典型导通电阻仅为0.045 Ω，比PowerPAK 8 x 8封装器件低27 %，从而提高了额定功率，支持≥ 3 kW的各种应用，同时器件高度低至2.3 mm，增加了功率密度。此外，MOSFET超低栅极电荷降至70 nC。器件的FOM为3.15 Ω*nC，比同类中最接近的MOSFET竞品低2.27 %。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源提高能效。器件满足服务器电源钛效率的特殊要求，或通信电源达到98%的峰值效率。
SiHK045N60EF有效输出电容Co(er) 和Co(tr) 分别仅为171 pf和1069 pF，可改善零电压开关（ZVS）拓扑结构开关性能，如LLC谐振转换器。器件的Co(tr) 比同类中最接近的MOSFET竞品低8.79 %，而其快速体二极管的Qrr低至0.8 μC，有助于提高桥式拓扑结构的可靠性。此外，MOSFET的PowerPAK 10 x 12封装具有任何表面贴装的出色热性能，最大结-壳热阻额定值为0.45 °C/W。SiHK045N60EF热阻抗比PowerPAK 8 x 8封装器件低31%。
日前发布的MOSFET符合 RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，耐受雪崩模式过压瞬变，并保证极限值 100% 通过 UIS 测试。
SiHK045N60EF现可提供样品并已量产。
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