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Littelfuse瞬态抑制二极管阵列具较高的浪涌处理能力,可保护低压CMOS设备

上线时间:2015-03-11   作者:  责任编辑 xueqi


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关键卖点 比同类市场解决方案高出25%的电源处理能力,并具有更高的电气安全系数;每条线路的电容仅为2.6pF,比其它解决方案低57%,有助于保持信号完整性,并最大限度地降低数据丢失率,同时为设备提供更好的电气保护。
目标应用 保护10/100/1000以太网设备、WAN/LAN设备、开关系统、桌面计算机、服务器、笔记本电脑、模拟输入和基站。
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【导读】Littelfuse推出了SLVU2.8-8系列2.8V、30A瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管),该产品专为保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计,典型应用包括:保护以太网和WAN/LAN设备、开关系统和计算机等。
 
与市场同类解决方案相比,SLVU2.8-8系列能够为电路设计人员提供高出25%的电源处理能力,具有更高的电气安全系数。 它还具有比其它解决方案低57%的电容,有助于保持信号完整性,并将数据丢失率降至最低。
 
SLVU2.8-8系列的典型应用包括保护10/100/1000以太网设备、WAN/LAN设备、开关系统、桌面计算机、服务器、笔记本电脑、模拟输入和基站。
 
“每个低压瞬态抑制二极管都有一个与之串联的补偿二极管,可为受保护的线路提供低负载电容。”瞬态抑制二极管阵列产品线经理Tim Micun表示。 “这些符合AEC-Q101标准的设备可安全地吸收±30kV的反复性ESD震击,并在极低的箝位电压下安全地耗散高达30A的电流。”
 
所有SLVU2.8-8系列瞬态抑制二极管阵列都具有以下重要优势:
 
• 比同类市场解决方案高出25%的电源处理能力,并具有更高的电气安全系数。
• 每条线路的电容仅为2.6pF,比其它解决方案低57%,有助于保持信号完整性,并最大限度地降低数据丢失率,同时为设备提供更好的电气保护。
• 增强的ESD防御能力(±30kV接触放电,±30kV空气放电),远远高于IEC 61000-4-2的最高标准(±8kV),在安装和使用期间为设备提供最大的可靠性。
• 0.3Ω的低动态电阻(RDYN)为敏感的芯片组提供最优箝位电压,保护其免受灾难性事件的影响,实现最佳系统运行时间和可靠性。
 
供货情况
 
SLVU2.8-8系列封装在一个小型集成电路(SOIC)中,提供卷带封装,起订量2,500只。 样品可向世界各地的授权Littelfuse经销商索取。 如需了解Littelfuse授权经销商名录,请访问littelfuse.com。
 
更多信息
 
SLVU2.8-8系列的更多信息可参见其 产品页面规格书。如果您有技术问题,请联系瞬态抑制二极管阵列产品经理Tim Micun,电子邮件: TMicun@littelfuse.com
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