【导读】日前，Littelfuse宣布，推出低电容瞬态抑制二极管阵列，专门为保护可能经历破坏性静电放电（ESD）的电子设备进行了优化。
SP814x系列瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）集成了四或六个超低电容轨到轨二极管通道以及额外的齐纳二极管，可安全地吸收高于IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别（±8kV接触放电）的反复性ESD放电，而性能不会减退。超低的负载电容（每个输入/输出端的电容为1.0pF（typ.））、比半导体设备更低的串联电阻以及快速响应能力使其成为保护配备高速信号引脚的电子设备的理想之选，例如HDMI2.0、USB3.0、USB2.0和IEEE1394。
SP814x系列的应用领域包括LCD/PDP电视、外部存储器、DVD/蓝光播放器、台式电脑/服务器、笔记本/平板电脑、机顶盒、手机、闪存卡和数码摄像机。
“SP814x系列是半导体共模滤波器（CMF）经济实惠的替代选择，尽管后者被认为能够带来价值，但却无法以足够快的速度过滤不需要的信号或噪音，这就带来了信号完整性问题。”瞬态抑制二极管阵列产品经理Tim Micun表示。 “对于多数高速接口而言，使用此类CMF设备意味着在电路保护方面提出过于详细的要求并造成成本超支。 由于和CMF设备一样外形小巧，SP814x系列瞬态抑制二极管阵列是一种使用便捷的低成本选择，不会对ESD保护性能造成影响。”
SP814x系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势：
• 低电容（1.0pF（typ.））最大限度地降低了高速数据的信号恶化或衰减，使工程师在设计中获得更多信号余量。
• 低泄漏电流（5V下为25nA（TYP））有益于延长电池使用寿命及保护信号完整性，因为过度漏电可以看作是高速差分对的附加电容。
• 增强的ESD能力（±22kV接触放电，±22kV空气放电），让制造商能够达到超出IEC标准最高等级的ESD保护性能，并应对大量其他威胁，确保产品在实际使用中的可靠性。
• 小巧的外形（μDFN，JEDEC MO-229封装）可节省宝贵的电路板空间，简化电路板布局，使智能手机这类空间有限的应用得到保护。 占用空间与半导体CMF相同，允许对仅针对ESD的解决方案进行贯穿式布线。
供货情况：SP814x系列提供卷带封装，起订量3,000只。
