【导读】深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations 日前宣布推出600V 12A的Qspeed二极管，在硅二极管当中具有业界最低的反向恢复电荷(Qrr)特性。在25°C时，Qrr仅为14nC，该二极管可提高车载充电器PFC级的效率，可显著降低PFC MOSFET的温升。
600V 12A二极管可替代汽车应用中的SiC元件
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations 日前宣布推出600V 12A的Qspeed二极管，在硅二极管当中具有业界最低的反向恢复电荷(Qrr)特性。在25°C时，Qrr仅为14nC，该二极管可提高车载充电器PFC级的效率，可显著降低PFC MOSFET的温升。通过AEC-Q101认证的QH12TZ600Q具有与碳化硅(SiC)器件相同的低开关损耗性能，可是并没有因为采用昂贵的技术而带来成本增加的缺点。
Power Integrations高级产品营销经理Edward Ong表示：“这些新型Qspeed二极管的Qrr是次优超快速硅二极管的一半，可实现非常高的系统效率。这对于需要更高的开关频率以减小体积和重量的汽车车载充电器应用尤为重要，并且能使Qspeed二极管取代SiC器件。”
QH12TZ600Q采用混合PiN-Schottky二极管技术来实现高性能。其平滑的反向恢复电流转换特性不仅提高了效率，还降低了EMI和峰值反向电压应力，在车载充电器中用作输出整流管时无需使用缓冲电路。新器件采用紧凑的2.5kV隔离式TO-220封装，可直接安装到金属散热片上，有利于实现出色的温升性能表现。
供货及相关资源
新款600V 12A Qspeed二极管基于10,000颗的订货量每颗价格为1.17美元。
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