【导读】氮化镓（GaN）技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止，GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异，产品十分零散，客户缺乏兼容多种封装的货源。为了解决这个问题，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封装的 CoolGaN™ G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封装的CoolGaN™ G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶体管。
氮化镓（GaN）技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止，GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异，产品十分零散，客户缺乏兼容多种封装的货源。为了解决这个问题，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用RQFN 5x6 封装的 CoolGaN™ G3 100V（IGD015S10S1）和采用RQFN 3.3x3.3封装的CoolGaN™ G3 80V（IGE033S08S1）高性能GaN晶体管。
CoolGaN™ G3 100V晶体管与WRTFN-9-2组合
英飞凌科技中压氮化镓产品线负责人Antoine Jalabert博士表示：“这两款新器件兼容行业标准硅MOSFET封装，满足客户对标准化封装、更易处理和加快产品上市速度的需求。CoolGaN™ G3 100 V晶体管器件将采用5x6 RQFN封装，典型导通电阻为 1.1 mΩ；CoolGaN™ G3 80 V将采用 3.3x3.3 RQFN 封装，典型电阻为2.3 mΩ。这两款晶体管的封装首次让客户可以采取简便的多源采购策略，以及与硅基设计形成互补的布局，而新封装与GaN组合带来的低电阻连接和低寄生效应能够在常见封装中实现高性能晶体管输出。
此外，这种芯片与封装组合拥有更大的暴露表面积和更高的铜密度，使热量得到更好的分布和散发，因此不仅能提高热传导性，还具有很高的热循环稳定性。
供货情况采用 RQFN 封装的IGE033S08S1 和 IGD015S10S1 GaN晶体管样品将从2025年4月开始提供。
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,060名员工（截至2024年9月底），在2024财年（截至9月30日）的营收约为150亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的OTCQX国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。
英飞凌中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约3,000多名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术应用支持、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
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