【导读】特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616）开发了抑制瞬态电压(TVS)的新产品XBP141P。
DFN2510-10A 封装
XBP141P实装于邻接外部接口附近，用于保护置于静电放电后方的IC。 封装组件均采用了小型SOT-23(TO-236)（2.9 X 2.4 X h1.15mm），推动机器小型化。由于引脚容量较小，能对应高速信号传输线，最适用于USB3.0等的线路保护。另外采用了小型DFN2510-10A（2.5 x 1.0 x h0.55mm）封装组件，搭载4素子TVS二极管，可以保护4条线路。
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